चीनी चिप निर्माताओं पर अमेरिकी प्रतिबंधों को दरकिनार करने के लिए, चीन के प्रमुख DRAM और NAND फ्लैश मेमोरी आपूर्तिकर्ताओं चांगक्सिन मेमोरी (CXMT) और यांग्त्ज़ी मेमोरी स्टोरेज (YMTC) ने अमेरिकी निर्यात प्रतिबंधों के बीच विकास में तेजी लाने के लिए विभिन्न रणनीतियों को अपनाते हुए साहसिक कदम उठाए।
डिजीटाइम्स के सूत्रों से संकेत मिलता है कि चांगक्सिन मेमोरी ने हेफ़ेई में अपने नए कारखाने में 18.5nm प्रक्रिया DRAM चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू कर दिया है। अमेरिकी 18-नैनोमीटर सीमा को थोड़ा अधिक करके, इसका उद्देश्य अमेरिकी वाणिज्य विभाग के नियमों का तकनीकी रूप से अनुपालन करते हुए उत्पादन क्षमता बढ़ाना है।
हेफ़ेई कारखाने का पहला चरण लगभग पूरी क्षमता पर चल रहा है, जिसका मासिक उत्पादन 100,00 वेफर्स तक पहुंच गया है। विस्तार के आगामी दूसरे चरण में 2024 के अंत तक प्रति माह 40,000 वेफर्स जोड़े जाएंगे, जिससे सीएक्स मेमोरी की कुल DRAM उत्पादन क्षमता वैश्विक स्तर के 10% तक पहुंच जाएगी। इसके अलावा, चांगक्सिन ने नए उत्पादन विस्तार के लिए घरेलू खरीद में उल्लेखनीय वृद्धि करने की भी योजना बनाई है।
इसके विपरीत, अमेरिकी इकाई सूची में जोड़े जाने के बाद यांग्त्ज़ी मेमोरी स्टोरेज को अपनी क्षमता वृद्धि पर व्यापक प्रतिबंधों का सामना करना पड़ता है। अब महत्वपूर्ण उपकरणों का आयात रुक जाने से सामग्री और उपकरणों के लिए स्थानीय आपूर्ति श्रृंखला स्थापित करना चुनौतीपूर्ण साबित हुआ है। अनुसंधान और विकास में प्रगति के बावजूद, जिसमें NAND फ़्लैश 300 परतों से अधिक है, यांग्त्ज़ी मेमोरी ने 120 परतों वाला एक नया उत्पाद लॉन्च किया है, जो जानबूझकर संयुक्त राज्य अमेरिका में 128-परत की सीमा से कम है। हालाँकि, मानकों को पूरा करने वाले इन चिप्स को भी बड़े पैमाने पर उत्पादन से पहले अमेरिकी अनुमोदन की प्रतीक्षा करनी होगी।
आगे देखते हुए, जबकि चांगक्सिन ने अमेरिकी प्रतिबंधों के आसपास एक व्यवहार्य रास्ता बना लिया है, यांग्त्ज़ी स्टोरेज की क्षमता योजनाओं को चल रही बाधाओं का सामना करना पड़ रहा है। बहरहाल, 232-लेयर और भविष्य के 300-प्लस-लेयर NAND सहित निर्धारित अनुसंधान एवं विकास प्रयासों के माध्यम से, यांग्त्ज़ी मेमोरी का लक्ष्य बाहरी बाधाओं को दूर करना और चीन की सेमीकंडक्टर क्षमताओं को आगे बढ़ाना है।