सैमसंग IEEE-SSCC में 280-लेयर 3D QLC NAND फ़्लैश मेमोरी और 32GB DDR5-8000 मेमोरी प्रदर्शित करेगा

37Gbps GDDR7 मेमोरी के अलावा, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स 2024 IEEE-SSCC में कई अन्य मेमोरी नवाचारों को प्रदर्शित करने की भी तैयारी कर रहा है। सबसे पहले, कंपनी 1Tb की घनत्व के साथ नई 280-लेयर 3D QLCNAND फ्लैश मेमोरी प्रदर्शित करेगी, जिसका उपयोग अगली पीढ़ी के मुख्यधारा SSDs और स्मार्टफोन स्टोरेज में किया जा सकता है। चिप का चुंबकीय क्षेत्र घनत्व 28.5Gb/mm² और गति 3.2GB/s है।

वर्तमान में फ्लैगशिप NVMe SSDs को पावर देने वाले सबसे तेज़ 3D NAND फ़्लैश प्रकार की I/O डेटा ट्रांसफर दर लगभग 2.4GB/s है।

आगामी 2024 आईएसएससीसी शेड्यूल हाई-स्पीड मेमोरी के लिए प्रदर्शन योजनाओं की रूपरेखा तैयार करता है, जिसमें सैमसंग और SKHynix GDDR7 विनिर्देशों पर आधारित 37Gb/s और 35.4Gb/s वेरिएंट शामिल हैं। दोनों कंपनियां ग्राफिक्स मेमोरी में प्रगति करने के लिए नवीन PAM3 और NRZ सिग्नलिंग प्रौद्योगिकियों का लाभ उठाने का इरादा रखती हैं।

हालाँकि GDDR7 मेमोरी (32Gb/s तक की गति के साथ) आधिकारिक तौर पर जारी की गई है, सैमसंग और हाइनिक्स तेज़ मेमोरी विकास गति के साथ सीमाओं को आगे बढ़ा रहे हैं। माइक्रोन भी इस दौड़ में शामिल हो गया है, उसने घोषणा की है कि वह 36 जीबी/एस जीडीडीआर7 मेमोरी विकसित करने के लिए प्रतिबद्ध है, जिसके 2026 की शुरुआत में बाजार में आने की उम्मीद है। इस प्रतिस्पर्धी स्थिति में, सैमसंग और हाइनिक्स पहले थोड़ी कम गति के साथ मॉड्यूल लॉन्च करेंगे, और बाद में धीरे-धीरे 35 जीबी/एस मॉड्यूल लॉन्च करने की संभावना है।

अगली पीढ़ी DDR5 मेमोरी चिप्स की एक नई पीढ़ी है जिसमें DDR5-8000 की डेटा ट्रांसफर दर और 32Gbit (4GB) का घनत्व है। चिप एक सममित मोज़ेक DRAM सेल आर्किटेक्चर का उपयोग करता है और DRAM उत्पादों के लिए अनुकूलित सैमसंग की पांचवीं पीढ़ी के 10nm-स्तरीय फाउंड्री नोड के आधार पर निर्मित होता है।

इस चिप के बारे में प्रभावशाली बात यह है कि यह पीसी मेमोरी विक्रेताओं को DDR5-8000 गति पर 32GB और 48GB DIMM (एकल-पंक्ति कॉन्फ़िगरेशन), और 64GB और 96GB DIMM (दोहरी-पंक्ति कॉन्फ़िगरेशन) बनाने की अनुमति देता है (यह मानते हुए कि प्लेटफ़ॉर्म दोहरी-पंक्ति DDR5-8000 को अच्छी तरह से संभाल सकता है)।

मेमोरी स्पीड और बैंडविड्थ एक नज़र में: