उद्योग आपूर्ति श्रृंखला और चीनी सोशल मीडिया के विभिन्न स्रोतों के अनुसार, जैसे-जैसे फ्लैगशिप मोबाइल चिप्स की प्रदर्शन सीमा बढ़ती जा रही है और पारंपरिक मोबाइल फोन कूलिंग समाधान तेजी से कड़े होते जा रहे हैं, क्वालकॉम उच्च-आवृत्ति ऑपरेशन के कारण होने वाले थर्मल दबाव को कम करने के लिए अगली पीढ़ी के स्नैपड्रैगन 8 एलीट जेन 6 श्रृंखला में सैमसंग की हीट पास ब्लॉक (एचपीबी) तकनीक का उपयोग करने पर विचार कर रहा है।

इस HPB तकनीक को सबसे पहले सैमसंग की 2nm प्रोसेस Exynos 2600 चिप पर लागू किया गया था, और अधिकारियों का दावा है कि यह थर्मल प्रतिरोध को लगभग 16% तक कम कर सकता है। मुख्य दृष्टिकोण प्रोसेसर डाई को तांबे की थर्मल प्रवाहकीय परत के साथ सीधे कवर करना है ताकि चिप के स्रोत से गर्मी को जल्दी से बाहर निकालने के लिए एक मार्ग प्रदान किया जा सके और आसपास के घटकों में गर्मी फैलने और फिर निष्क्रिय रूप से निर्यात होने की अक्षम प्रक्रिया को कम किया जा सके। उसी समय, पारंपरिक रूप से SoC के शीर्ष पर रखे गए मेमोरी मॉड्यूल को चिप के किनारे पर ले जाया जाता है, और स्थानीय हॉट स्पॉट के गठन को कम करने के लिए प्रतीत होता है कि सरल लेआउट समायोजन को तांबे की उच्च तापीय चालकता के साथ जोड़ा जाता है।

क्वालकॉम की पिछली पीढ़ी की फ्लैगशिप चिप, स्नैपड्रैगन 8 एलीट जेन 5, ने इस "उच्च बिजली खपत के लिए चरम प्रदर्शन" मार्ग की कीमत का प्रदर्शन किया है। चिप गीकबेंच 6 मल्टी-कोर स्कोर में Apple के A19 प्रो से थोड़ा बेहतर प्रदर्शन करती है, लेकिन लगभग 61% अधिक बिजली की खपत की कीमत पर, रनिंग स्कोर में बढ़त के लिए अपनी लड़ाई में गर्मी लंपटता और बिजली की खपत को सीमा तक बढ़ाने के लिए क्वालकॉम के प्रयास को उजागर करती है। इस संदर्भ में, एक अधिक कुशल स्रोत शीतलन समाधान को अगली प्रदर्शन छलांग के लिए एक शर्त माना जाता है।

वीबो की रिपोर्ट के अनुसार, क्वालकॉम द्वारा आंतरिक रूप से परीक्षण किए गए स्नैपड्रैगन 8 एलीट जेन 6 प्रो संस्करण के प्रदर्शन कोर की उच्चतम आवृत्ति 5GHz के करीब पहुंच रही है। एक खुले प्रायोगिक वातावरण में, ऐसी आवृत्ति को बनाए रखा जा सकता है, लेकिन एक बार जब इसे सीमित स्थान वाले स्मार्टफोन बॉडी में पैक किया जाता है, तो गर्मी का तेजी से संचय एक बड़ी बाधा बन जाएगा। हालाँकि चिप्स की अगली पीढ़ी के TSMC की 2nm प्रक्रिया में स्थानांतरित होने और ऊर्जा दक्षता में सुधार होने की उम्मीद है, इस प्रक्रिया द्वारा लाए गए ऊर्जा दक्षता लाभ जल्द ही ऑफसेट हो जाएंगे क्योंकि चरम प्रदर्शन की खोज में आवृत्ति में वृद्धि जारी रहेगी।

इसने उद्योग को एचपीबी जैसे "डायरेक्ट सोर्स कूलिंग" को एक विशिष्ट प्रयोगात्मक तकनीक के बजाय संरचनात्मक स्तर पर एक आवश्यक उन्नयन के रूप में मानने के लिए प्रेरित किया है। रिपोर्टों से संकेत मिलता है कि क्वालकॉम पीक लोड परिदृश्यों के तहत चिप तापमान को स्थिर करने के लिए कई संभावित शीतलन समाधानों में से एक के रूप में एचपीबी का मूल्यांकन कर रहा है। लंबे समय से, मोबाइल फोन का ताप अपव्यय मुख्य रूप से वाष्प कक्षों और ग्रेफाइट हीट सिंक जैसे समाधानों पर निर्भर रहा है। हालाँकि, जैसे-जैसे SoC की शक्ति घनत्व में वृद्धि जारी है, इन पारंपरिक तरीकों के सीमांत लाभ कमजोर हो रहे हैं।

यदि क्वालकॉम अंततः स्नैपड्रैगन 8 एलीट जेन 6 श्रृंखला में एचपीबी को एकीकृत करता है, तो इसका मतलब यह होगा कि उसने पहली बार चिप आर्किटेक्चर स्तर पर "डाई-लेवल थर्मल प्रबंधन" विचारों में स्पष्ट बदलाव किया है। इसे क्वालकॉम की स्वीकारोक्ति के रूप में भी देखा जाएगा कि मौजूदा गर्मी अपव्यय रणनीति, पॉलिश करने के वर्षों के बाद भी, वर्तमान स्मार्टफोन फॉर्म और बिजली खपत स्तर के तहत अपनी सीमा के करीब पहुंच रही है, और पैकेजिंग और संरचनात्मक डिजाइन में गहन समायोजन की आवश्यकता है।

फिलहाल, क्वालकॉम ने आधिकारिक तौर पर संबंधित खबर की पुष्टि नहीं की है। हालाँकि, कई वीबो व्हिसलब्लोअर पहले Exynos 2600 से संबंधित विवरणों का सटीक रूप से खुलासा करने वाले पहले व्यक्ति थे। स्नैपड्रैगन 8 एलीट जेन 6 और एचपीबी कूलिंग के बारे में खबरों का यह दौर समयरेखा और सामग्री में अत्यधिक सुसंगत है, जिससे बाहरी दुनिया को विश्वास हो गया है कि इसकी विश्वसनीयता कम नहीं है। एक महत्वपूर्ण मोड़ पर जब फ्लैगशिप मोबाइल फोन प्रोसेसर 5GHz फ़्रीक्वेंसी बैंड की ओर बढ़ रहे हैं, क्या क्वालकॉम गर्मी अपव्यय तकनीक पर सैमसंग के साथ "जुड़ने" का विकल्प चुनेगा, यह अगले हाई-एंड मोबाइल चिप प्रतियोगिता का एक प्रमुख फोकस बन जाएगा।