सैनडिस्क ने आज आधिकारिक तौर पर घोषणा की कि उसने ग्राहकों को अपनी 10वीं पीढ़ी के 3डी नंद फ्लैश मेमोरी प्रौद्योगिकी उत्पाद - BiCS10 1Tb (टेराबिट, 128GB) TLC फ्लैश मेमोरी चिप के परीक्षण नमूने वितरित करना शुरू कर दिया है। इस नई चिप ने भंडारण घनत्व, ट्रांसमिशन गति और बिजली खपत दक्षता में गुणात्मक छलांग हासिल की है, जिसका लक्ष्य बड़े पैमाने पर, उच्च दक्षता वाले भंडारण के लिए आधुनिक कंप्यूटिंग की तत्काल जरूरतों को पूरी तरह से पूरा करना है।
根据闪迪官方披露的技术细节，BiCS10芯片通过将闪存堆叠层数大幅提升至332层，并结合先进的横向微缩（Lateral Scaling）技术，成功实现了超过29Gb/mm²的业界领先TLC存储密度。与目前市场上作为主力大规模量产的第8代（BiCS8）3D闪存相比，新型BiCS10的位密度（Bit Density）足足提升了59%。在性能方面，得益于Toggle DDR 6.0接口总线、SCA协议以及PI-LTT技术的全面引入，BiCS10的接口传输速率飙升至惊人的4.8 Gb/s，较前代产品实现了33%的性能飞跃。
प्रदर्शन और घनत्व में दोहरी सफलताओं के अलावा, ऊर्जा दक्षता में BiCS10 का प्रदर्शन भी उत्कृष्ट है। चिप सैनडिस्क के बाजार-सिद्ध सीबीए (सीएमओएस सीधे एरे से जुड़ा हुआ, सीएमओएस सीधे वेफर एरे से जुड़ा हुआ) आर्किटेक्चर तकनीक का उपयोग करना जारी रखता है। यह अत्याधुनिक प्रक्रिया अलग-अलग वेफर्स पर सीएमओएस लॉजिक सर्किट और फ्लैश मेमोरी एरे का निर्माण करके और फिर उच्च परिशुद्धता वेफर संरेखण तकनीक का उपयोग करके उन्हें एक साथ जोड़कर विद्युत प्रदर्शन को अधिकतम करती है। इस तकनीक के समर्थन से, BiCS10 TLC चिप की डेटा इनपुट और आउटपुट ऊर्जा दक्षता को काफी अनुकूलित किया गया है। BiCS8 पीढ़ी की तुलना में, इसकी इनपुट बिजली खपत में 10% की कमी आई है, और इसकी आउटपुट बिजली खपत में 34% की उल्लेखनीय गिरावट आई है। यह आधुनिक डेटा केंद्रों और उद्यम-स्तरीय बुनियादी ढांचे के लिए महत्वपूर्ण है जो परिचालन लागत और गर्मी अपव्यय दबाव को कम करने के लिए उत्सुक हैं।
闪迪首席技术官阿普尔·伊尔克巴哈尔（Alper Ilkbahar）在发布会上面对行业媒体表示，随着当今世界连接日益紧密、数据高度密集且智能化程度不断加深，NAND闪存技术在支撑现代算力规模方面正扮演着愈发关键的基石角色。他强调，早前的BiCS8通过将晶圆键合能力与密度、能效的实际增益相结合，已经为行业树立了全新的标杆；而如今的BiCS10 TLC则在此坚实的基础之上，进一步为客户带来了更快的接口速率、更高的位密度以及更卓越的功耗表现，这清晰地展示了闪迪在3D闪存长期技术路线图上的创新实力。