कियॉक्सिया कॉरपोरेशन ने हाल ही में घोषणा की है कि उसने ग्राहकों को अपनी 10वीं पीढ़ी की BiCS FLASH 3D फ़्लैश मेमोरी तकनीक का उपयोग करके 1Tb (टेराबिट) ट्रिपल-लेयर सेल (TLC) मेमोरी डिवाइस के नमूने भेजना शुरू कर दिया है। नए उत्पादों के इस बैच को मुख्य रूप से KIOXIA के एंटरप्राइज़-क्लास और डेटा सेंटर सॉलिड-स्टेट ड्राइव (SSDs) में एकीकृत किया जाएगा, जिसका लक्ष्य कृत्रिम बुद्धिमत्ता (AI) स्टोरेज के क्षेत्र में उच्च प्रदर्शन, बड़ी क्षमता और कम बिजली की खपत की बढ़ती और तत्काल जरूरतों को पूरा करने के लिए अपने उत्पाद लाइनअप को और मजबूत करना है।
बताया गया है कि इन नवाचारों का निर्माण जापान के इवाते प्रीफेक्चर में किताकामी प्लांट फैब2 में अत्याधुनिक उपकरणों का उपयोग करके स्थानीय स्तर पर किया जाएगा।
तकनीकी वास्तुकला के संदर्भ में, 10वीं पीढ़ी की तकनीक 8वीं पीढ़ी के BiCS FLASH के बाद से शुरू की गई "CMOS डायरेक्ट बॉन्डिंग टू वेफर एरे (CBA)" तकनीक और "इक्वल पिच सेलेक्ट गेट ड्रेन (OPS)" तकनीक का उपयोग जारी रखती है। इन दो मुख्य प्रौद्योगिकियों के अभिनव एकीकरण के लिए धन्यवाद, फ्लैश मेमोरी की नई पीढ़ी ने 4.8 जीबी/एस तक की NAND इंटरफ़ेस गति हासिल की है, जो 8वीं पीढ़ी के उत्पादों की तुलना में 33% की महत्वपूर्ण वृद्धि है। साथ ही, आश्चर्यजनक 332-लेयर वर्टिकल स्टैकिंग और पार्श्व घनत्व को अनुकूलित करके इसकी बिट घनत्व में 59% की उल्लेखनीय वृद्धि हुई है। ऊर्जा दक्षता के संदर्भ में, नई तकनीक की लिखने और पढ़ने की ऊर्जा दक्षता में भी क्रमशः 18% और 30% का सुधार हुआ है, जो प्रभावी रूप से आधुनिक डेटा केंद्रों और उद्यम-स्तरीय बुनियादी ढांचे को समग्र बिजली खपत और परिचालन लागत को कम करने में मदद करेगा।
वर्तमान में, KIOXIA अपनी अनूठी "डुअल-एक्सिस रणनीति" के मार्गदर्शन में दो अलग-अलग उत्पाद लाइनों को एक साथ बढ़ावा दे रहा है: पहला 9वीं पीढ़ी का समाधान है, जो अपेक्षाकृत कम निवेश लागत को बनाए रखते हुए अत्यधिक प्रतिस्पर्धी और उत्कृष्ट प्रदर्शन प्रदान कर सकता है; दूसरी इस बार लॉन्च की गई 10वीं पीढ़ी की तकनीक है, जो अधिक उन्नत लेयर स्टैकिंग तकनीक के माध्यम से अल्ट्रा-बड़ी क्षमता विस्तार और उत्कृष्ट प्रदर्शन प्राप्त करती है।