सार:
चीनी DRAM मेमोरी चिप निर्माता चांगक्सिन मेमोरी (CXMT) ने घोषणा की कि उसकी पांचवीं पीढ़ी का DRAM प्रौद्योगिकी प्लेटफॉर्म आधिकारिक तौर पर बड़े पैमाने पर उत्पादन चरण में प्रवेश कर गया है। इस प्रगति को चीन के भंडारण उद्योग के विकास में एक महत्वपूर्ण मील का पत्थर माना जाता है, और इसका मतलब यह भी है कि चांगक्सिन स्टोरेज सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन जैसे वैश्विक अग्रणी निर्माताओं के साथ प्रौद्योगिकी अंतर को और कम कर रहा है।
DRAM एप्लिकेशन चलाने के लिए स्मार्टफ़ोन, पर्सनल कंप्यूटर और सर्वर जैसे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों द्वारा आवश्यक मुख्य कार्यशील मेमोरी है। हाल के वर्षों में, जैसे-जैसे कृत्रिम बुद्धिमत्ता, उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग और मोबाइल टर्मिनल प्रदर्शन में सुधार जारी है, उन्नत DRAM उत्पादों की वैश्विक बाजार में मांग बढ़ती जा रही है।
चांगक्सिन मेमोरी द्वारा जारी की गई जानकारी के अनुसार, पांचवीं पीढ़ी के प्रौद्योगिकी प्लेटफॉर्म का लक्ष्य बिजली की खपत और उत्पादन लागत को कम करते हुए मजबूत प्रदर्शन और उच्च क्षमता वाले मेमोरी उत्पाद बनाना है। कंपनी ने कहा कि नया प्लेटफॉर्म टर्मिनल इलेक्ट्रॉनिक उत्पाद निर्माताओं को अधिक मेमोरी चिप आपूर्ति स्रोत प्रदान करेगा और उद्योग श्रृंखला की आपूर्ति लचीलेपन को बढ़ाएगा।
चीन की सबसे बड़ी DRAM निर्माता के रूप में, चांगक्सिन मेमोरी इस बार मेमोरी कोशिकाओं के घनत्व को बढ़ाने पर ध्यान केंद्रित करती है। डेटा भंडारण के लिए जिम्मेदार छोटी संरचनाओं को और सिकोड़कर और एकीकरण के स्तर को बढ़ाकर, नया प्लेटफ़ॉर्म एक ही क्षेत्र में अधिक मेमोरी कोशिकाओं को समायोजित कर सकता है और एक ही वेफर से काटे जा सकने वाले चिप्स की संख्या बढ़ा सकता है, जिससे समग्र आउटपुट दक्षता में सुधार होता है।
चांगक्सिन स्टोरेज ने खुलासा किया कि नए प्लेटफॉर्म ने स्टोरेज ऐरे की प्रमुख संरचनात्मक पिच को घटाकर 11.95 नैनोमीटर कर दिया है, जो एक मीटर के लगभग 12 अरबवें हिस्से के बराबर है। इस लक्ष्य को प्राप्त करने के लिए, कंपनी एक चौगुनी पैटर्निंग प्रक्रिया का उपयोग करती है, जो अधिक परिष्कृत सर्किट संरचनाओं को बनाने के लिए कई विनिर्माण चरणों को बार-बार निष्पादित करके पारंपरिक प्रक्रिया सीमाओं को तोड़ती है।
हेफ़ेई, अनहुई में आयोजित 2026 विश्व विनिर्माण सम्मेलन के दौरान, चांगक्सिन स्टोरेज मार्केट सेंटर के प्रमुख लुओ शियाओडोंग ने कहा कि कंपनी की प्रक्रिया क्षमताएं दुनिया के सबसे उन्नत बड़े पैमाने पर उत्पादित स्टोरेज प्लेटफार्मों के समान स्तर पर पहुंच गई हैं।
नए प्लेटफ़ॉर्म के बड़े पैमाने पर उत्पादन के साथ, चांगक्सिन मेमोरी ने पांचवीं पीढ़ी के प्लेटफ़ॉर्म पर आधारित दो 24 जीबी एलपीडीडीआर5एक्स मोबाइल मेमोरी चिप्स भी जारी किए। LPDDR5X एक कम-शक्ति वाला DRAM मानक है जिसका उपयोग मुख्य रूप से स्मार्टफोन और टैबलेट जैसे मोबाइल उपकरणों में किया जाता है।
नए उत्पाद की क्षमता पिछली पीढ़ी के समान उत्पादों की तुलना में 50% अधिक है, और यह बड़े पैमाने पर उत्पादन चरण में प्रवेश कर चुका है। अलग-अलग अंतिम उत्पाद आवश्यकताओं के अनुसार, दोनों उत्पाद स्मार्टफोन और विभिन्न पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के डिजाइन के लिए उपयुक्त होने के लिए अलग-अलग पैकेजिंग फॉर्म प्रदान करते हैं।
एकल चिप की क्षमता बढ़ाने के अलावा, नया प्लेटफ़ॉर्म विनिर्माण दक्षता में भी काफी सुधार करता है। चांगक्सिन मेमोरी ने कहा कि तुलनात्मक बेंचमार्क के रूप में 8 जीबी उत्पादों का उपयोग करते समय, पांचवीं पीढ़ी का प्लेटफॉर्म प्रति वेफर उत्पादित चिप्स की संख्या चौथी पीढ़ी के प्लेटफॉर्म की तुलना में कम से कम 50% अधिक है।
यह संकेतक अंतिम उपज का प्रतिनिधित्व नहीं करता है, लेकिन चिप्स की कुल संख्या को संदर्भित करता है जिन्हें सैद्धांतिक रूप से दोषपूर्ण चिप्स को खत्म करने से पहले एक वेफर से काटा जा सकता है। हालाँकि, मेमोरी उद्योग के लिए, वेफर उपयोग में सुधार अभी भी लागत कम करने और प्रतिस्पर्धात्मकता बढ़ाने का एक महत्वपूर्ण तरीका है।
कंपनी ने यह भी खुलासा किया कि पांचवीं पीढ़ी के प्लेटफॉर्म की विकास प्रक्रिया में कंप्यूटर सिमुलेशन तकनीक का बड़े पैमाने पर उपयोग किया गया था, और प्रमुख विनिर्माण लिंक में स्थानीय चीनी सेमीकंडक्टर उपकरण निर्माताओं के साथ संयुक्त विकास किया गया था। प्रासंगिक सहयोग ने चांगक्सिन स्टोरेज को धीरे-धीरे अधिक संपूर्ण घरेलू आपूर्ति श्रृंखला प्रणाली स्थापित करने और बाहरी प्रौद्योगिकी पर अपनी निर्भरता कम करने में मदद की है।
यह तकनीकी विकास ऐसे समय में हुआ है जब वैश्विक भंडारण उद्योग में प्रतिस्पर्धा लगातार बढ़ती जा रही है। कृत्रिम बुद्धिमत्ता उद्योग के तेजी से विस्तार के साथ, उच्च-प्रदर्शन मेमोरी की मांग में वृद्धि हुई है, और प्रमुख वैश्विक भंडारण निर्माताओं ने उन्नत DRAM और HBM उत्पादों में निवेश बढ़ाया है।
चीन के लिए, चांगक्सिन स्टोरेज के पांचवीं पीढ़ी के प्लेटफॉर्म के बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश का मतलब न केवल तकनीकी क्षमताओं में और सुधार है, बल्कि यह भी दर्शाता है कि स्थानीय भंडारण उद्योग अधिक उन्नत प्रक्रिया नोड्स की ओर बढ़ रहा है। भविष्य में, जैसे-जैसे नई पीढ़ी के मोबाइल स्टोरेज उत्पाद धीरे-धीरे बाजार में प्रवेश करेंगे, चांगक्सिन स्टोरेज और प्रमुख अंतरराष्ट्रीय निर्माताओं के बीच प्रतिस्पर्धा और तेज होने की उम्मीद है।
वैश्विक भंडारण उद्योग के लगातार बदलते परिदृश्य की पृष्ठभूमि में, पांचवीं पीढ़ी के DRAM प्लेटफॉर्म के आधिकारिक बड़े पैमाने पर उत्पादन को चांगक्सिन मेमोरी के विकास में एक और महत्वपूर्ण नोड माना जाता है। यह चीन के सेमीकंडक्टर उद्योग के लिए अपनी स्वतंत्र आपूर्ति क्षमताओं में सुधार के लिए नया लाभ भी जोड़ता है।
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