सार:
मेमसिलिकॉन ने 1TnR प्रौद्योगिकी मार्ग पर आधारित पहली पीढ़ी की उच्च-घनत्व, बड़ी क्षमता वाली RRAM चिप "माउंटताई 2026" के टेप-आउट को पूरा करने की घोषणा की।
यह बताया गया है कि "ताइशान नंबर 1" मेमसिलिकॉन की 1टीएनआर उच्च-घनत्व, बड़ी क्षमता वाली नई मेमोरी चिप तकनीक की प्रारंभिक अनुसंधान से लेकर जीबी-स्तरीय चिप्स के व्यावसायीकरण तक की प्रगति में एक मील का पत्थर है। यह तकनीकी मार्ग चुनिंदा ट्रांजिस्टर को कई प्रतिरोधक स्विचिंग मेमोरी कोशिकाओं के साथ साझा करके प्रति यूनिट क्षेत्र में भंडारण क्षमता को बढ़ाता है, और एक बैक-एंड एकीकरण विधि का उपयोग करता है जो घनत्व, क्षमता और लागत दोनों को प्राप्त करने के लिए सीएमओएस प्लेटफॉर्म के साथ पूरी तरह से संगत है।
चिप 28nm CMOS प्रोसेस प्लेटफ़ॉर्म और 1T4R यूनिट संरचना का उपयोग करता है, जिसमें 1Gb की एकल चिप क्षमता, 30Mb/mm² का घनत्व, 20ns से कम की एक्सेस देरी और एक एकीकृत ऑन-चिप हार्डवेयर त्रुटि सुधार सर्किट होता है। यह बड़ी क्षमता, उच्च घनत्व और उच्च गति पढ़ने के बीच एक सहयोगात्मक सफलता प्राप्त करता है, और ऑन-चिप उच्च-घनत्व और बड़ी क्षमता वाले नए गैर-वाष्पशील भंडारण अनुप्रयोगों के लिए अंतरराष्ट्रीय स्तर पर प्रतिस्पर्धी समाधान प्रदान करता है।
वर्तमान में, "ताईशान नंबर 1" ने टेप-आउट पूरा कर लिया है और सत्यापन को आगे बढ़ा रहा है।
"ताईशान नंबर 1" 1T4R संरचना को अपनाता है, यानी, एक चयन ट्रांजिस्टर चार प्रतिरोधी स्विचिंग मेमोरी कोशिकाओं से मेल खाता है। लेकिन ट्रांजिस्टर साझा करने का मतलब यह नहीं है कि मेमोरी कोशिकाओं की संख्या का घनत्व और प्रदर्शन आनुपातिक रूप से बढ़ जाता है। एकाधिक मेमोरी कोशिकाओं के बीच गैर-लक्ष्य वर्तमान पथ, पढ़ने और लिखने के हस्तक्षेप, और विभिन्न परिचालन स्थितियों के तहत विश्वसनीयता सभी के लिए उपकरणों, प्रक्रियाओं और सर्किट डिजाइनों के संयुक्त अनुकूलन की आवश्यकता होती है।
टिप्पणियाँ