रिपोर्ट्स के मुताबिक,सैमसंग ने अपनी Z-NAND स्टोरेज तकनीक को पारंपरिक NAND फ्लैश मेमोरी की तुलना में 15 गुना तक लक्ष्य प्रदर्शन सुधार के साथ फिर से लॉन्च करने की योजना बनाई है, जबकि बिजली की खपत को 80% तक कम किया है।इसके अलावा, सैमसंग ने "जीपीयू-इनीशिएटेड डायरेक्ट स्टोरेज एक्सेस (जीआईडीएस)" नामक एक नई तकनीक भी विकसित की है जो जीपीयू को माइक्रोसॉफ्ट के डायरेक्टस्टोरेज एपीआई के समान सीधे जेड-एनएएनडी स्टोरेज डिवाइस तक पहुंचने की अनुमति देती है।
सैमसंग की Z-NAND तकनीक मूल रूप से इंटेल की 3D XPoint Optane स्टोरेज तकनीक के साथ प्रतिस्पर्धा करने के लक्ष्य के साथ 2010 के मध्य में लॉन्च की गई थी। दोनों एक नए प्रकार के सॉलिड-स्टेट स्टोरेज को पेश करते हैं, जिसका प्रदर्शन DRAM के करीब है और सिस्टम विलंबता पारंपरिक SSDs की तुलना में बहुत कम है।
Intel के 3D XPoint Optane के विपरीत, सैमसंग की पहली पीढ़ी का Z-NAND अनिवार्य रूप से NAND SLC SSD का त्वरित संस्करण है।
यह एक बेहतर V-NAND डिज़ाइन पर आधारित है, 48-लेयर संरचना को अपनाता है, और सिंगल-लेयर सेल (SLC) मोड में काम करता है। इसका मुख्य सुधार पृष्ठ आकार को 2-4KB तक कम करना है, जिससे तेज़ डेटा पढ़ने और लिखने की गति और कम सिस्टम विलंबता प्राप्त होगी।
उस समय, Intel Optane और Samsung Z-NAND पर आधारित ड्राइव पारंपरिक SSDs की तुलना में 6-10 गुना तेज़ थे, और यदि Samsung की अगली पीढ़ी Z-NAND उम्मीदों पर खरी उतरती है, तो यह वर्तमान NVMe SSDs की तुलना में 15 गुना बेहतर प्रदर्शन कर सकती है।
