सार:
हेफ़ेई में 2026 विश्व विनिर्माण सम्मेलन में, चांगक्सिन टेक्नोलॉजी ने आधिकारिक तौर पर पांचवीं पीढ़ी के DRAM प्रौद्योगिकी प्लेटफ़ॉर्म (G5 प्लेटफ़ॉर्म) के बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, साथ ही प्लेटफ़ॉर्म पर आधारित बड़ी क्षमता वाले LPDDR5X उत्पादों का प्रदर्शन किया, और पहली बार सार्वजनिक रूप से बड़े पैमाने पर उत्पादित LPDDR6 मेमोरी का प्रदर्शन किया।
G5 प्लेटफ़ॉर्म की मुख्य सफलता प्रक्रिया सिकुड़न में निहित है। यह प्लेटफ़ॉर्म मेमोरी ऐरे के सक्रिय क्षेत्र के आधे-पिच को 11.95 नैनोमीटर तक सिकोड़ने के लिए क्वाड्रपल पैटर्निंग तकनीक पर निर्भर करता है, जो दुनिया की शीर्ष मेमोरी मास प्रोडक्शन प्लेटफ़ॉर्म प्रक्रिया के करीब है।
एक संदर्भ के रूप में, सैमसंग का वर्तमान सबसे उन्नत DRAM नोड 12nm है, और चांगक्सिन G5 का 11.95nm सैमसंग के बड़े पैमाने पर उत्पादन स्तर के बराबर है। मुख्य बात यह है कि यह सफलता ईयूवी लिथोग्राफी मशीनों पर भरोसा किए बिना एआरएफ विसर्जन डीयूवी का उपयोग करके हासिल की गई थी।
लाइन चौड़ाई सिकुड़न के अलावा, G5 प्लेटफ़ॉर्म ने प्रक्रिया प्रवाह को बदलकर और नई सामग्रियों का उपयोग करके स्टोरेज कैपेसिटर पहलू अनुपात को 45:1 तक सुधार दिया है, और DRAM प्रक्रिया के लिए अनुकूलित एक उच्च-ढांकता हुआ स्थिर धातु गेट (HKMG) प्रक्रिया विकसित की है, जिससे कोर कार्यात्मक क्षेत्र की ऊंचाई 6762 नैनोमीटर तक कम हो गई है।
इस प्रकार भंडारण घनत्व में कई गुना सुधार हुआ है। प्रति वेफर उत्पादित डाई की संख्या पिछली पीढ़ी के प्लेटफॉर्म की तुलना में कम से कम 50% अधिक है, जिससे उत्पाद ऊर्जा दक्षता और लागत नियंत्रण में महत्वपूर्ण लाभ हैं। चांगक्सिन टेक्नोलॉजी के उपाध्यक्ष लुओ शियाओडोंग ने कहा,
जी5 प्लेटफॉर्म का प्रक्रिया स्तर उद्योग के शीर्ष बड़े पैमाने पर उत्पादन नोड्स के बराबर है।
एक साथ प्रदर्शित दो LPDDR5X बड़े पैमाने पर उत्पादित उत्पादों की एकल क्षमता 24GB है, जो समान उत्पादों की पिछली पीढ़ी की तुलना में 50% अधिक है। इन्हें क्रमशः 496बॉल और 245बॉल में पैक किया गया है। वे मध्य-से-उच्च-स्तरीय स्मार्टफ़ोन और पोर्टेबल उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त हैं। वे अब बड़े पैमाने पर बड़े पैमाने पर उत्पादन के चरण में प्रवेश कर चुके हैं।
सम्मेलन में एक और फोकस बड़े पैमाने पर उत्पादित एलपीडीडीआर6 पर था। चांगक्सिन LPDDR6 ने आधिकारिक तौर पर 29 अगस्त को बड़े पैमाने पर उत्पादन की घोषणा की, जिसमें अधिकतम ट्रांसमिशन दर 12800Mbps, LPDDR5X की तुलना में बैंडविड्थ में 60% की वृद्धि, बिजली की खपत में 20% की कमी और 16GB की अधिकतम चिप क्षमता है।
LPDDR6 से लैस पहला मॉडल Xiaomi 18 फोल्ड फोल्डिंग फ्लैगशिप मोबाइल फोन है। यह पहली बार है कि दुनिया में किसी फ्लैगशिप मोबाइल फोन पर LPDDR6 उत्पादों का व्यावसायीकरण किया गया है। यह पहली बार है कि किसी चीनी स्टोरेज कंपनी ने दुनिया में उच्च-स्तरीय मेमोरी मानकों का पहला बड़े पैमाने पर उत्पादन हासिल किया है।
इसके अलावा,
चांगक्सिन की उच्चतम स्पीड 10667Mbps LPDDR5X से लैस एक "बीनबैग फोन" न्युबियन नेवीएक्स अल्ट्रा को भी बिक्री के लिए रखा गया है। यह घरेलू 10667Mbps हाई-स्पीड LPDDR5X चिप का पहला बड़े पैमाने पर उत्पादन अनुप्रयोग है।
यह बताया जाना चाहिए कि चांगक्सिन ने घोषणा में स्वीकार किया कि G5 प्लेटफ़ॉर्म, एक बिल्कुल नए प्लेटफ़ॉर्म के रूप में, अभी भी उपज बढ़ाने के लिए एक निश्चित अवधि की आवश्यकता है। इस प्लेटफ़ॉर्म पर आधारित उत्पादों की अभी तक बड़े पैमाने पर बिक्री नहीं हुई है और अल्पावधि में परिचालन प्रदर्शन पर कोई महत्वपूर्ण प्रभाव नहीं पड़ेगा।
लेकिन G5 बड़े पैमाने पर उत्पादन का रणनीतिक महत्व काफी स्पष्ट है: सबसे उन्नत बड़े पैमाने पर उत्पादन तकनीक के मामले में घरेलू DRAM एक "चेज़र" से "प्रतियोगी" में बदल रहा है।
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