सार:
चीनी मेमोरी चिप निर्माता चांगक्सिन मेमोरी (सीएक्सएमटी) अपनी अगली पीढ़ी की DRAM प्रौद्योगिकी लेआउट में तेजी ला रही है और इस साल के अंत से पहले 4F² मेमोरी सेल आर्किटेक्चर का उपयोग करके DDR5 RDIMM सर्वर मेमोरी उत्पादों को लॉन्च करने की योजना बना रही है। उद्योग के सूत्रों का कहना है कि यदि प्रासंगिक योजनाओं को सफलतापूर्वक लागू किया जाता है, तो इस प्रमुख प्रौद्योगिकी मार्ग पर चांगक्सिन स्टोरेज के व्यावसायीकरण की प्रगति सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स से लगभग दो साल आगे हो सकती है, जिसने वैश्विक भंडारण उद्योग में काफी ध्यान आकर्षित किया है।
रिपोर्ट में कहा गया है कि 4F² मेमोरी सेल आर्किटेक्चर को DRAM सिकुड़न प्रक्रिया में एक महत्वपूर्ण प्रौद्योगिकी नोड माना जाता है। पारंपरिक DRAM मेमोरी सेल आमतौर पर एक बड़े सिलिकॉन क्षेत्र पर कब्जा कर लेते हैं, जबकि 4F² डिज़ाइन सेल आकार को और अधिक संपीड़ित करके उसी वेफर क्षेत्र पर अधिक मेमोरी सेल को समायोजित करता है, जिससे चिप क्षमता बढ़ती है और यूनिट भंडारण लागत कम होती है। जैसे-जैसे विनिर्माण प्रक्रिया भौतिक सीमाओं के करीब पहुंच रही है, भंडारण घनत्व में सुधार कैसे जारी रखा जाए यह DRAM निर्माताओं के सामने एक मुख्य चुनौती बन गई है।
लंबे समय से, सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन सहित प्रमुख वैश्विक मेमोरी निर्माता उच्च-घनत्व DRAM आर्किटेक्चर की अगली पीढ़ी का अध्ययन कर रहे हैं। हालाँकि, डिज़ाइन जटिलता, विनिर्माण प्रक्रियाओं और उपज नियंत्रण में अत्यधिक कठिनाइयों के कारण बड़े पैमाने पर व्यावसायीकरण अपेक्षाकृत धीमी गति से आगे बढ़ा है।
नवीनतम समाचार से पता चलता है कि चांगक्सिन स्टोरेज DDR5 RDIMM उत्पादों में 4F² आर्किटेक्चर को पेश करने का बीड़ा उठाने की योजना बना रहा है। RDIMM एक पंजीकृत डुअल इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल है। यह मुख्य रूप से सर्वर और डेटा सेंटर बाजारों पर लक्षित है और इसका व्यापक रूप से कृत्रिम बुद्धिमत्ता प्रशिक्षण, उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग और क्लाउड कंप्यूटिंग बुनियादी ढांचे में उपयोग किया जाता है।
उद्योग का मानना है कि यदि चांगक्सिन मेमोरी योजना के अनुसार उत्पाद रिलीज को पूरा कर सकती है और स्थिर बड़े पैमाने पर उत्पादन प्राप्त कर सकती है, तो इसका मतलब यह होगा कि यह न केवल अपनी उत्पादन क्षमता का विस्तार करना जारी रखेगा, बल्कि कोर डीआरएएम आर्किटेक्चर नवाचार के क्षेत्र में भी सफलता हासिल करेगा। सर्वर बाजार के लिए, उच्च भंडारण घनत्व का मतलब समान स्थान और बिजली की खपत की स्थिति के तहत बड़ी क्षमता वाली मेमोरी को तैनात करने की क्षमता है, जो विशेष रूप से एआई डेटा केंद्रों के लिए आकर्षक है।
रिपोर्ट में बताया गया है कि समान प्रौद्योगिकी मार्गों पर सैमसंग के वर्तमान बड़े पैमाने पर उत्पादन कार्यक्रम में अभी भी कई साल लगने की उम्मीद है। यदि यह निर्णय सटीक है, तो चांगक्सिन स्टोरेज को 4F² आर्किटेक्चर-संबंधित उत्पादों के व्यावसायीकरण में लगभग दो साल का लाभ मिल सकता है। हालाँकि, चूँकि संबंधित परियोजनाएँ अभी भी उन्नति के चरण में हैं, अंतिम बड़े पैमाने पर उत्पादन प्रगति, उत्पाद प्रदर्शन और वास्तविक उपज स्तर को अभी भी और सत्यापित करने की आवश्यकता है।
हाल के वर्षों में, जनरेटिव आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस और बड़े पैमाने पर भाषा मॉडल के तेजी से विकास के साथ, वैश्विक डेटा केंद्रों में उच्च क्षमता और उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी की मांग बढ़ रही है। अधिक ध्यान आकर्षित करने वाली एचबीएम हाई-बैंडविड्थ मेमोरी के अलावा, पारंपरिक DDR5 सर्वर मेमोरी बाजार भी अपग्रेड चक्र के एक नए दौर की शुरुआत कर रहा है। भंडारण निर्माताओं के लिए, जो कोई भी उच्च-घनत्व डीआरएएम प्रौद्योगिकी के माध्यम से आगे बढ़ने का बीड़ा उठा सकता है, उसे बाजार प्रतिस्पर्धा के अगले चरण में अनुकूल स्थिति पर कब्जा करने का अवसर मिलेगा।
विश्लेषकों का मानना है कि चांगक्सिन मेमोरी द्वारा 4F² आर्किटेक्चर DDR5 RDIMM उत्पादों को बढ़ावा देना न केवल एक उत्पाद की रिलीज से संबंधित है, बल्कि इसे चीन के भंडारण उद्योग के लिए अधिक उन्नत DRAM प्रौद्योगिकी नोड्स की ओर बढ़ने के लिए एक महत्वपूर्ण संकेत भी माना जाता है। यदि परियोजना सफलतापूर्वक लागू की जाती है, तो वैश्विक सर्वर मेमोरी बाजार में इसकी प्रतिस्पर्धात्मकता बढ़ने और अग्रणी अंतरराष्ट्रीय निर्माताओं के साथ प्रौद्योगिकी अंतर को कम करने की उम्मीद है।
टिप्पणियाँ