सार:
ग्लोबलफाउंड्रीज (जीएफ) ने एफडीएक्स फ्यूजन पूरी तरह से समाप्त सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर (एफडी-एसओआई) प्रक्रिया मार्ग की घोषणा की, जिसका लक्ष्य रोबोट, ऑटोमोबाइल और औद्योगिक स्वचालन जैसे "भौतिक एआई" उपकरणों के लिए कम-शक्ति, उच्च एकीकृत चिप्स प्रदान करना है। कंपनी ने कहा कि FDX फ़्यूज़न की पहली पीढ़ी को "7nm-स्तर का डिजिटल प्रदर्शन" प्राप्त होने की उम्मीद है और वह 2028 में अपने ड्रेसडेन, जर्मनी स्थित कारखाने में विनिर्माण शुरू करने की योजना बना रही है।
यह कथन डिजिटल लॉजिक प्रदर्शन स्तर को संदर्भित करता है और इसका मतलब यह नहीं है कि GF ने 7nm FinFET प्रक्रिया को फिर से शुरू कर दिया है जिसे 2018 में निलंबित कर दिया गया था, न ही यह सीधे 7nm प्रक्रिया नोड या अन्य फैब्स के ट्रांजिस्टर घनत्व के बराबर हो सकता है।
FDX फ़्यूज़न GF के FD-SOI मार्ग को जारी रखता है। यह तकनीक सिलिकॉन परत के नीचे एक इन्सुलेट परत स्थापित करती है और बैक-बायस समायोजन का समर्थन करती है, जिसे कार्यभार के अनुसार बिजली की खपत और प्रदर्शन के बीच समायोजित किया जा सकता है; जीएफ ने कहा कि यह रिसाव को कम करने, ऊर्जा दक्षता को अनुकूलित करने में मदद करता है, और रेडियो फ्रीक्वेंसी, एनालॉग और डिजिटल सर्किट को एकीकृत करने के लिए उपयुक्त है। नए प्लेटफ़ॉर्म में एम्बेडेड गैर-वाष्पशील मेमोरी, इन-मेमोरी कंप्यूटिंग और उच्च-घनत्व तर्क को शामिल करने की भी योजना है। जीएफ द्वारा घोषित संकेतकों में शामिल है कि रेडियो फ़्रीक्वेंसी डिवाइस का ft/fmax 0.5 टेराहर्ट्ज़ तक पहुंच सकता है, और पहली पीढ़ी की FDX प्रक्रिया का घनत्व दोगुने से अधिक बढ़ गया है; कंपनी ने अभी तक बाहरी स्वतंत्र सत्यापन के लिए पर्याप्त विस्तृत डिज़ाइन डेटा जारी नहीं किया है। यहां 0.5 टेराहर्ट्ज़ रेडियो फ़्रीक्वेंसी डिवाइस का संकेतक है, चिप प्रोसेसर की ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी नहीं।
जीएफ इस प्रक्रिया को भौतिक एआई में रखता है, अर्थात, ऐसे अनुप्रयोग जहां डिवाइस स्थानीय रूप से पर्यावरण को समझते हैं, डेटा संसाधित करते हैं और समय पर प्रतिक्रिया देते हैं, जिसमें एज रीजनिंग, सेंसर फ़्यूज़न, रोबोटिक्स, ऑटोमेशन उपकरण, ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, स्वायत्त सिस्टम और बुद्धिमान कनेक्टेड डिवाइस शामिल हैं। इसका डिज़ाइन फोकस केवल सबसे छोटे ट्रांजिस्टर को आगे बढ़ाने पर नहीं है, बल्कि सिस्टम जटिलता, विलंबता और बिजली की खपत को कम करने के लिए सेंसिंग, कंप्यूटिंग, वायरलेस संचार, नियंत्रण और भंडारण को एक ही प्लेटफॉर्म में एकीकृत करने की कोशिश पर है। जीएफ ने कहा कि उसने कुछ ग्राहकों के साथ प्रारंभिक मूल्यांकन किया है, लेकिन अभी तक विशिष्ट चिप उत्पादों या बड़े पैमाने पर उत्पादन ग्राहक ऑर्डर की घोषणा नहीं की है।
कंपनी के रोडमैप के अनुसार, एफडीएक्स फ्यूजन प्रदर्शन चिप को 2027 की शुरुआत में मूल्यांकन के लिए ग्राहकों को वितरित किए जाने की उम्मीद है, प्रक्रिया डिजाइन किट का पहला संस्करण 2027 के मध्य में उपलब्ध होने की योजना है, और बड़े पैमाने पर उत्पादन लक्ष्य 2028 है। जीएफ ने यह भी बताया कि ड्रेसडेन एफडीएक्स फ्यूजन परियोजना का विकास अभी भी इस बात पर निर्भर करता है कि जर्मन संघीय सरकार आगामी आईपीसीईआई उन्नत सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी परियोजना को मंजूरी देती है या नहीं, इसलिए रोडमैप अभी भी नीति अनुमोदन की शर्तें हैं।
यह मार्ग उस परियोजना के समान नहीं है जिसे GF ने 2018 में निलंबित कर दिया था। उस समय, कंपनी ने 7-नैनोमीटर फिनफेट के अनुसंधान और विकास को इस आधार पर रोक दिया था कि यह अधिक विशिष्ट प्रक्रियाओं और बाजारों पर संसाधनों को केंद्रित करेगा; नव घोषित FDX फ़्यूज़न FD-SOI पर आधारित है और कम बिजली की खपत, रेडियो फ्रीक्वेंसी और मिश्रित-सिग्नल एकीकरण पर केंद्रित है। जीएफ ड्रेसडेन में 1.1 बिलियन यूरो स्प्रिंट विस्तार योजना को भी आगे बढ़ा रहा है, जिसका लक्ष्य 2028 के अंत तक संयंत्र की वार्षिक उत्पादन क्षमता को 1 मिलियन 300 मिमी वेफर्स से अधिक तक बढ़ाना है; यह क्षमता विस्तार संयंत्र के पूरे व्यवसाय को कवर करता है, इसका पूरा उपयोग एफडीएक्स फ्यूजन के लिए नहीं किया जाता है।
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