सार:
चीनी फ्लैश मेमोरी चिप निर्माता यांग्त्ज़ी मेमोरी टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड (YMTC) अपने प्रौद्योगिकी लेआउट को NAND फ्लैश मेमोरी से DRAM मेमोरी तक विस्तारित कर रही है। काउंटरप्वाइंट रिसर्च द्वारा हाल ही में बताई गई जानकारी के अनुसार, यांग्त्ज़ी मेमोरी 9600 एमटी/एस की डेटा ट्रांसमिशन दर के साथ कम-शक्ति वाले मेमोरी उत्पाद विकसित कर रही है और वुहान में अपने तीसरे वेफर फैब में बड़े पैमाने पर उत्पादन को बढ़ावा देने की योजना बना रही है। इसका मतलब यह है कि यांग्त्ज़ी मेमोरी DRAM बाज़ार में प्रवेश करने की कोशिश कर रही है जिस पर लंबे समय से सैमसंग, एसके हाइनिक्स, माइक्रोन और अन्य कंपनियों का वर्चस्व रहा है।
काउंटरपॉइंट रिसर्च की एक रिपोर्ट के अनुसार, यांग्त्ज़ी मेमोरी अक्टूबर 2025 से अपने दूसरे वेफर फैब पर दूसरी पीढ़ी की 16 जीबी एलपीडीडीआर 5 मेमोरी का विकास और परीक्षण कर रही है। लक्ष्य डेटा ट्रांसमिशन दर 7500 एमटी/एस है, और संबंधित उत्पादन लाइनों की मासिक उत्पादन क्षमता लगभग 5000 वेफर्स है। हालाँकि, यह परियोजना अभी भी अनुसंधान और विकास और परीक्षण चरण में है, और रिपोर्ट यह संकेत नहीं देती है कि उत्पाद ने बड़े पैमाने पर व्यावसायिक उत्पादन में प्रवेश किया है।
इस आधार पर, यांग्त्ज़ी स्टोरेज एक उच्च गति वाला 9600 MT/s संस्करण भी विकसित कर रहा है। पिछली पीढ़ी के आर एंड डी प्रोजेक्ट से अलग, नया समाधान वर्टिकल चैनल ट्रांजिस्टर (वीसीटी) और 4F² मेमोरी सेल आर्किटेक्चर का उपयोग करने की योजना बना रहा है, और तीसरे वेफर फैब में बड़े पैमाने पर उत्पादन को बढ़ावा देने की योजना बना रहा है। यह ध्यान दिया जाना चाहिए कि मौजूदा जानकारी आर एंड डी लक्ष्यों और भविष्य की उत्पादन योजनाओं का वर्णन करती है, और यह पुष्टि नहीं करती है कि 9600 एमटी/एस उत्पाद ने सत्यापन पूरा कर लिया है या आधिकारिक तौर पर बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश किया है।
इस तकनीकी मार्ग की कुंजी यह है कि DRAM भंडारण कोशिकाओं द्वारा व्याप्त क्षेत्र को और कैसे कम किया जाए। पारंपरिक DRAM आमतौर पर 6F² मेमोरी सेल लेआउट को अपनाता है, जहां F प्रक्रिया डिज़ाइन में न्यूनतम सुविधा आकार का प्रतिनिधित्व करता है। 4F² आर्किटेक्चर ट्रांजिस्टर और अन्य संरचनाओं को लंबवत रूप से व्यवस्थित करके प्रत्येक मेमोरी यूनिट द्वारा कब्जा किए गए समतल क्षेत्र को कम करने का प्रयास करता है, जिससे भंडारण क्षमता में वृद्धि होती है जिसे प्रति यूनिट चिप क्षेत्र में एकीकृत किया जा सकता है।
यदि 4F² आर्किटेक्चर उन्नत प्रक्रियाओं के तहत स्थिर विनिर्माण प्राप्त कर सकता है, तो सैद्धांतिक रूप से DRAM चिप्स के एकीकरण घनत्व को बढ़ाने और इकाई क्षमता लागत को कम करने के लिए जगह बनाने का अवसर होगा। हालाँकि, इस वास्तुकला को ट्रांजिस्टर संरचना, विनिर्माण प्रक्रिया, रिसाव नियंत्रण, विश्वसनीयता और उपज में चुनौतियों का भी सामना करना पड़ता है। भले ही एक प्रयोगशाला प्रोटोटाइप लक्ष्य गति तक पहुंच सकता है, इसका मतलब यह नहीं है कि इसमें बड़े पैमाने पर वाणिज्यिक उत्पादन के लिए आवश्यक व्यापक प्रदर्शन है।
यांग्त्ज़ी स्टोरेज की इस दिशा का चुनाव उसके मौजूदा प्रौद्योगिकी संचय से संबंधित है। कंपनी अपने NAND फ़्लैश मेमोरी व्यवसाय के लिए प्रसिद्ध है। इसकी एक्सटैकिंग तकनीक स्टोरेज ऐरे और पेरीफेरल सर्किट को अलग-अलग बनाकर और फिर उन्हें बॉन्डिंग के माध्यम से एकीकृत करके फ्लैश मेमोरी डिज़ाइन और विनिर्माण के लचीलेपन में सुधार करती है। काउंटरप्वाइंट रिसर्च का मानना है कि यांग्त्ज़ी मेमोरी प्रासंगिक तकनीकी अनुभव को DRAM क्षेत्र में विस्तारित करने का प्रयास कर रही है। हालाँकि, NAND और DRAM के बीच भंडारण इकाई संरचना, कार्य तंत्र और विनिर्माण आवश्यकताओं में स्पष्ट अंतर हैं। यह आसानी से विश्वास नहीं किया जा सकता है कि फ्लैश मेमोरी क्षेत्र में सफलता को सीधे मेमोरी बाजार में कॉपी किया जा सकता है।
यह ध्यान देने योग्य है कि यांग्त्ज़ी स्टोरेज 4F² आर्किटेक्चर का प्रयास करने वाला एकमात्र चीनी स्टोरेज निर्माता नहीं है। एक अन्य DRAM निर्माता, चांगक्सिन मेमोरी (CXMT), भी इस प्रौद्योगिकी मार्ग की खोज कर रहा है और 2026 के अंत तक 4F² आर्किटेक्चर पर आधारित DDR5 पंजीकृत दोहरी इन-लाइन मेमोरी मॉड्यूल लॉन्च करने की योजना बना रहा है। हालाँकि, योजना को तकनीकी सत्यापन और बड़े पैमाने पर उत्पादन व्यवहार्यता में अनिश्चितताओं का भी सामना करना पड़ता है।
अंतर्राष्ट्रीय भंडारण दिग्गज 4F² आर्किटेक्चर की संभावनाओं को लेकर सतर्क हैं। माइक्रोन टेक्नोलॉजी ने पहले सार्वजनिक रूप से इस मेमोरी यूनिट संरचना के और सिकुड़न में मूलभूत समस्याओं पर सवाल उठाया है, यह मानते हुए कि इसके बड़े पैमाने पर अनुप्रयोग के लिए अभी भी दुर्गम तकनीकी बाधाएं हैं। यह दर्शाता है कि वर्तमान DRAM उद्योग अगली पीढ़ी के मेमोरी सेल आर्किटेक्चर के तकनीकी मार्ग पर अभी तक सर्वसम्मत निर्णय पर नहीं पहुंचा है। क्या यांग्त्ज़ी स्टोरेज और चांगक्सिन स्टोरेज विभिन्न इंजीनियरिंग डिजाइनों के माध्यम से इन समस्याओं को हल कर सकते हैं, यह बाद के उत्पादों और विनिर्माण डेटा द्वारा सत्यापित किया जाना बाकी है।
साथ ही, DRAM बाजार में यांग्त्ज़ी मेमोरी के प्रवेश का समय भी वैश्विक भंडारण उद्योग में आपूर्ति और मांग में बदलाव से संबंधित है। कृत्रिम बुद्धिमत्ता डेटा केंद्रों के तेजी से विस्तार ने उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी, सर्वर DRAM और सॉलिड-स्टेट ड्राइव की मांग में वृद्धि को प्रेरित किया है। सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन कृत्रिम बुद्धिमत्ता से संबंधित भंडारण उत्पादों में बहुत सारे संसाधनों का निवेश कर रहे हैं, और सामान्य कंप्यूटर और स्मार्टफोन में उपयोग की जाने वाली मेमोरी भी आपूर्ति संरचना में बदलाव से प्रभावित होती है। चीनी निर्माताओं के लिए, यदि वे लगातार योग्य प्रदर्शन और प्रतिस्पर्धी लागत के साथ DRAM उत्पाद लॉन्च कर सकते हैं, तो उनके पास घरेलू मेमोरी के बाजार में हिस्सेदारी बढ़ाने का अवसर होगा।
हालाँकि, वैश्विक मेमोरी बाज़ार पर इस अनुसंधान और विकास योजना के प्रभाव को अल्पावधि में कम करके आंका नहीं जा सकता है। काउंटरपॉइंट रिसर्च ने बताया कि यांग्त्ज़ी मेमोरी के 9600 एमटी/एस उत्पादों की अनुसंधान और विकास प्रगति, ग्राहक सत्यापन स्थिति, और तीसरे वेफर फैब के बड़े पैमाने पर उत्पादन निष्पादन स्थिति सभी संकेतक हैं जिन्हें भविष्य में बारीकी से देखने की आवश्यकता है। यह साबित करने के लिए वर्तमान में अपर्याप्त सार्वजनिक जानकारी है कि उत्पाद ने लक्ष्य प्रदर्शन हासिल कर लिया है, और कोई स्पष्ट बड़े पैमाने पर उत्पादन कार्यक्रम, उत्पादन डेटा या विनिर्माण उपज की जानकारी नहीं है।
इसके अलावा, 9600 एमटी/एस केवल डेटा ट्रांसफर दर संकेतकों में से एक है और अकेले मेमोरी उत्पादों की समग्र प्रतिस्पर्धात्मकता निर्धारित नहीं कर सकता है। LPDDR5X जैसी कम-शक्ति वाली मेमोरी के लिए, बिजली की खपत, गर्मी अपव्यय, स्थिरता, क्षमता, पैकेजिंग योजना, अनुकूलता और लागत समान रूप से महत्वपूर्ण हैं। भले ही यांग्त्ज़ी मेमोरी अंततः इस गति को प्राप्त कर सकती है, फिर भी इसे स्मार्टफोन, लैपटॉप या अन्य उपकरणों की आपूर्ति श्रृंखला में प्रवेश करने से पहले टर्मिनल निर्माताओं द्वारा सत्यापित करने की आवश्यकता होगी।
दीर्घकालिक परिप्रेक्ष्य से, यांग्त्ज़ी स्टोरेज चीन के भंडारण उद्योग में श्रम के मूल व्यापार विभाजन को तोड़ने की कोशिश कर रहा है। अतीत में, यांग्त्ज़ी मेमोरी का मुख्य व्यवसाय NAND फ़्लैश मेमोरी था, जबकि चांगक्सिन मेमोरी ने मुख्य रूप से DRAM मेमोरी विकसित की थी। आज, दोनों कंपनियां एक-दूसरे के बाजारों की खोज कर रही हैं, और भविष्य की प्रतिस्पर्धा में न केवल उत्पाद की गति और कीमत शामिल हो सकती है, बल्कि विनिर्माण प्रक्रियाओं, मेमोरी सेल आर्किटेक्चर, पेटेंट लेआउट और उत्पादन क्षमता पैमाने तक भी विस्तार हो सकता है।
सामान्य तौर पर, यांग्त्ज़ी मेमोरी ने 9600 एमटी/एस एलपीडीडीआर मेमोरी विकसित की है और अपने तीसरे वेफर फैब में बड़े पैमाने पर उत्पादन को बढ़ावा देने की योजना बनाई है, जिससे पता चलता है कि यह सक्रिय रूप से अपने डीआरएएम व्यवसाय का विस्तार कर रहा है। लेकिन यह अभी भी एक ऐसी योजना है जिसके लिए तकनीकी सत्यापन और बड़े पैमाने पर विनिर्माण परीक्षण से गुजरना होगा, न कि एक परिपक्व उत्पाद जो पहले से ही बाजार में है। भविष्य में, जो वास्तव में यह निर्धारित करेगा कि क्या यह अंतरराष्ट्रीय भंडारण दिग्गजों को चुनौती दे सकता है, वह उत्पाद प्रदर्शन, विनिर्माण उपज, लागत नियंत्रण और उत्पादन क्षमता का विस्तार जारी रखने की क्षमता होगी।
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