एप्लाइड मटेरियल्स ने घोषणा की कि वह संयुक्त राज्य अमेरिका के सिलिकॉन वैली में अपने ईपीआईसी (उपकरण और प्रक्रिया नवाचार और सहयोग) केंद्र में कृत्रिम बुद्धिमत्ता युग की नई पीढ़ी के लिए प्रमुख अर्धचालक प्रौद्योगिकियों को संयुक्त रूप से विकसित करने के लिए अपने दीर्घकालिक साझेदार टीएसएमसी के साथ एक अभिनव साझेदारी पर पहुंच गया है, जिसमें कुल 5 बिलियन अमेरिकी डॉलर तक का निवेश है। दोनों पक्ष इस केंद्र में सामग्री इंजीनियरिंग, उपकरण नवाचार और प्रक्रिया एकीकरण के आसपास सहयोगात्मक अनुसंधान और विकास करेंगे, जिसका लक्ष्य क्लाउड डेटा केंद्रों से टर्मिनल उपकरणों तक पूरे लिंक में अधिक ऊर्जा-कुशल चिप प्रदर्शन प्राप्त करना है।
एप्लाइड मैटेरियल्स के अध्यक्ष और सीईओ गैरी डिकर्सन ने कहा कि कंपनी और टीएसएमसी के बीच उन्नत सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी के क्षेत्र में 30 वर्षों से अधिक का गहन सहयोग रहा है। ईपीआईसी केंद्र में यह "एक ही साइट पर नवाचार" दोनों पक्षों को प्रक्रिया रोडमैप की अभूतपूर्व जटिलता से तेजी से निपटने में मदद करेगा और प्रारंभिक चरण के अनुसंधान से बड़े पैमाने पर बड़े पैमाने पर उत्पादन तक महत्वपूर्ण प्रौद्योगिकियों की प्रगति में तेजी लाएगा। टीएसएमसी के कार्यकारी उपाध्यक्ष और सह-मुख्य परिचालन अधिकारी वेई झेजिया ने बताया कि जैसे-जैसे सेमीकंडक्टर डिवाइस आर्किटेक्चर की प्रत्येक पीढ़ी का विकास जारी है, सामग्री इंजीनियरिंग और प्रक्रिया एकीकरण की कठिनाई बढ़ती जा रही है। वैश्विक स्तर पर एआई कंप्यूटिंग शक्ति की विस्फोटक मांग को पूरा करने के लिए, उद्योग श्रृंखला के भीतर घनिष्ठ सहयोग की आवश्यकता है। उन्होंने इस बात पर जोर दिया कि ईपीआईसी केंद्र नई पीढ़ी के उपकरणों और प्रक्रियाओं की परिपक्वता में तेजी लाने के लिए एक आदर्श वातावरण प्रदान करता है।
दोनों पक्षों के अनुसार, ईपीआईसी सेंटर के सहयोग से, एप्लाइड मैटेरियल्स और टीएसएमसी वर्तमान उन्नत तर्क प्रक्रियाओं के सामने आने वाली प्रमुख चुनौतियों की एक श्रृंखला पर ध्यान केंद्रित करेंगे क्योंकि वे "सिकुड़ना, ढेर करना और दक्षता में सुधार करना जारी रखते हैं।" मुख्य निर्देशों में शामिल हैं: सबसे पहले, नई प्रक्रिया प्रौद्योगिकियों का विकास करना जो चिप्स पर एआई और उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग की उच्च आवश्यकताओं का समर्थन करने के लिए अग्रणी प्रक्रिया नोड्स पर बिजली की खपत, प्रदर्शन और क्षेत्र (पीपीए) में लगातार सुधार कर सकते हैं; दूसरा, जटिल 3डी ट्रांजिस्टर और इंटरकनेक्ट संरचनाओं के सटीक निर्माण को प्राप्त करने के लिए नई सामग्रियों और नई पीढ़ी के विनिर्माण उपकरणों को पेश करना; तीसरा, उन्नत प्रक्रिया एकीकरण समाधानों के माध्यम से उपज, प्रक्रिया में उतार-चढ़ाव नियंत्रण और विश्वसनीयता में सुधार, ऊर्ध्वाधर स्टैकिंग और चरम स्केलिंग आर्किटेक्चर के विकास की नींव रखना।
ईपीआईसी केंद्र को संयुक्त राज्य अमेरिका में उन्नत सेमीकंडक्टर उपकरण अनुसंधान और विकास में अब तक के सबसे बड़े एकल निवेश के रूप में जाना जाता है। समग्र योजना का लक्ष्य प्रयोगशाला से बड़े पैमाने पर उत्पादन कारखाने तक प्रौद्योगिकी परिवर्तन चक्र को महत्वपूर्ण रूप से छोटा करना है। इस वर्ष केंद्र के चालू होने की उम्मीद है, और इसकी सुविधाओं को "प्रारंभिक अनुसंधान एवं विकास से बड़े पैमाने पर उत्पादन सत्यापन की ओर तेजी से बढ़ने" के लक्ष्य के लिए शुरुआत से ही अनुकूलित किया गया है। टीएसएमसी सहित वेफर फैब ग्राहकों के लिए, ईपीआईसी सेंटर एप्लाइड मैटेरियल्स आर एंड डी पोर्टफोलियो तक पहले पहुंच प्रदान करेगा, परीक्षण पुनरावृत्तियों में तेजी लाएगा, और एक सुरक्षित और नियंत्रणीय सहयोगी वातावरण में उच्च क्षमता वाली उत्पादन लाइनों में अगली पीढ़ी की प्रौद्योगिकियों की शुरूआत में तेजी लाएगा।
एप्लाइड मटेरियल्स ने कहा कि ईपीआईसी सेंटर के सह-निर्माण मॉडल के माध्यम से, कंपनी न केवल उच्च आर एंड डी दक्षता और भागीदारों के लिए मूल्य साझाकरण ला सकती है, बल्कि आंतरिक आर एंड डी संसाधनों के अधिक लक्षित लेआउट के लिए लंबे चक्र और एकाधिक प्रक्रिया नोड्स का दूरंदेशी परिप्रेक्ष्य भी प्राप्त कर सकती है। एआई द्वारा संचालित, जटिल 3डी उपकरणों और इंटरकनेक्ट संरचनाओं की ओर विकसित होने वाले चिप्स का रुझान तेजी से स्पष्ट हो गया है। उद्योग आम तौर पर मानता है कि "3डी ट्रांजिस्टर दीवार" के रूप में ज्ञात तकनीकी सीमा को कैसे पार किया जाए, यह काफी हद तक अगले चरण में एआई चिप प्रदर्शन और ऊर्जा दक्षता की ऊपरी सीमा निर्धारित करेगा। ईपीआईसी सेंटर में एप्लाइड मैटेरियल्स और टीएसएमसी के बीच सहयोग को इस दिशा में उद्योग श्रृंखला के महत्वपूर्ण लेआउट में से एक माना जाता है।