चांगक्सिन स्टोरेज और यांग्त्ज़ी स्टोरेज एक-दूसरे के मुख्य व्यावसायिक क्षेत्रों में अपने प्रवेश की गति बढ़ा रहे हैं

सार:

चीन का मेमोरी चिप उद्योग प्रतिस्पर्धा के एक नए चरण की शुरुआत कर रहा है। चांगक्सिन मेमोरी (सीएक्सएमटी) और यांग्त्ज़ी मेमोरी टेक्नोलॉजी (वाईएमटीसी), दो प्रमुख कंपनियां जो लंबे समय से विभिन्न बाजारों में गहराई से शामिल हैं, एक-दूसरे के मुख्य व्यावसायिक क्षेत्रों में अपने प्रवेश में तेजी ला रही हैं। DRAM और NAND के दो प्रमुख बाजारों में आमने-सामने की प्रतिस्पर्धा धीरे-धीरे सामने आ रही है।

पिछले कुछ वर्षों में, दोनों कंपनियों ने बाजार श्रम का अपेक्षाकृत स्पष्ट विभाजन बनाए रखा है। चांगक्सिन मेमोरी मुख्य रूप से DRAM मेमोरी चिप्स पर केंद्रित है, जबकि यांग्त्ज़ी मेमोरी NAND फ्लैश मेमोरी उत्पादों पर केंद्रित है। जैसे-जैसे कृत्रिम बुद्धिमत्ता की लहर वैश्विक अर्धचालक आपूर्ति श्रृंखला को नया आकार दे रही है, यह व्यावसायिक सीमा टूट रही है।

उद्योग श्रृंखला सूत्रों के अनुसार, यांग्त्ज़ी मेमोरी DRAM बाजार में प्रवेश करने की तैयारी कर रही है। परियोजना के तीसरे चरण में कंपनी की नई उत्पादन लाइन का परीक्षण उत्पादन 2026 के अंत में शुरू होने की उम्मीद है, जिसमें प्रारंभिक फोकस एलपीडीडीआर5 कम-पावर मेमोरी उत्पादों पर होगा। औपचारिक बड़े पैमाने पर उत्पादन से पहले एक महत्वपूर्ण चरण के रूप में, परीक्षण उत्पादन का उपयोग मुख्य रूप से उपकरण डिबगिंग, प्रक्रिया अनुकूलन और उपज में सुधार के लिए किया जाता है।

वर्तमान योजना के अनुसार, यांग्त्ज़ी मेमोरी की प्रारंभिक DRAM उत्पादन क्षमता लगभग 25,000 वेफर्स प्रति माह होने की उम्मीद है। हालाँकि यह पैमाना अभी भी सैमसंग, एसके हाइनिक्स या माइक्रोन जैसे अंतरराष्ट्रीय दिग्गजों से बहुत पीछे है, यह यांग्त्ज़ी मेमोरी के लिए एक महत्वपूर्ण रणनीतिक बदलाव है, जो लंबे समय से NAND व्यवसाय पर ध्यान केंद्रित कर रहा है।

साथ ही, चांगक्सिन मेमोरी भी NAND क्षेत्र में विस्तार करने के अवसरों की तलाश में है।

सूत्रों ने कहा कि चांगक्सिन मेमोरी बीजिंग में एक नई NAND R&D और परीक्षण उत्पादन परियोजना की योजना बना रही है और NAND प्रौद्योगिकी विकास को बढ़ावा देने के लिए प्रासंगिक अनुसंधान संस्थान स्थापित कर रही है। कुछ संभावित ग्राहकों ने पहले ही चांगक्सिन से संपर्क करना शुरू कर दिया है, जिसमें स्टार्ट-अप भी शामिल हैं जो कृत्रिम बुद्धिमत्ता प्रणालियों और सुपरकंप्यूटर स्टोरेज समाधानों के लिए इसके फ्लैश मेमोरी उत्पादों का उपयोग करना चाहते हैं।

हाल के वर्षों में, कृत्रिम बुद्धिमत्ता सर्वरों की मांग बढ़ी है, जिसने न केवल एचबीएम और डीआरएएम बाजारों की निरंतर समृद्धि को बढ़ावा दिया है, बल्कि NAND फ्लैश मेमोरी मांग की वृद्धि को भी प्रेरित किया है। चूंकि बड़ी संख्या में एआई मॉडल प्रशिक्षण और अनुमान कार्य भारी मात्रा में डेटा उत्पन्न करते हैं, इसलिए डेटा केंद्रों में एसएसडी और उच्च क्षमता वाले भंडारण उपकरणों की मांग बढ़ रही है, जिससे पारंपरिक भंडारण बाजार की आपूर्ति और मांग का संतुलन टूट गया है।

उद्योग के आंकड़ों से पता चलता है कि एआई बाजार की जरूरतों को पूरा करने के लिए, दुनिया के प्रमुख भंडारण निर्माताओं ने अधिक उत्पादन क्षमता को उच्च-लाभकारी DRAM और HBM उत्पादों में स्थानांतरित कर दिया है, जिसके परिणामस्वरूप NAND आपूर्ति वृद्धि धीमी हो गई है और बदले में बाजार की कीमतें बढ़ गई हैं। इस पृष्ठभूमि में, NAND बाज़ार में प्रवेश करना चांगक्सिन के लिए अधिक आकर्षक लगता है।

हालाँकि, यांग्त्ज़ी मेमोरी की तुलना में, जिसके पास DRAM बाजार में प्रवेश करने के लिए एक स्पष्ट समय सारिणी है, चांगक्सिन की NAND योजना अभी भी पहले चरण में है। यह स्पष्ट नहीं है कि यह बड़े पैमाने पर उत्पादन में कब प्रवेश करेगा। उद्योग का अनुमान है कि प्रासंगिक उत्पादन लाइनें आधिकारिक तौर पर 2028 से 2029 तक परिचालन में लाई जा सकती हैं।

दोनों कंपनियों के लिए, तकनीकी मुद्दों के अलावा, बौद्धिक संपदा अधिकार भी भविष्य की प्रतिस्पर्धा का एक महत्वपूर्ण केंद्र बन सकते हैं।

उद्योग के अंदरूनी सूत्रों ने बताया कि जैसे ही दोनों पक्ष एक-दूसरे की ताकत के पारंपरिक क्षेत्रों में प्रवेश करते हैं, पेटेंट लेआउट, प्रौद्योगिकी लाइसेंसिंग और इंजीनियरिंग प्रतिभाओं के लिए प्रतिस्पर्धा नए घर्षण बिंदु बन सकते हैं। विशेष रूप से चीन के भंडारण उद्योग के तेजी से विकास के संदर्भ में, दोनों कंपनियों को प्रासंगिक अनुभव के साथ बड़ी संख्या में अनुसंधान एवं विकास और उत्पादन कर्मियों को आकर्षित करने की आवश्यकता है।

रिपोर्टों के अनुसार, चांगक्सिन वर्तमान में सक्रिय रूप से इंजीनियरिंग और तकनीकी प्रतिभाओं की भर्ती कर रहा है जिन्होंने NAND अनुसंधान और विकास प्रक्रिया में तेजी लाने के लिए यांग्त्ज़ी मेमोरी में काम किया है। जैसे-जैसे यांग्त्ज़ी मेमोरी अपने DRAM प्रोजेक्ट को आगे बढ़ाती है, भविष्य में मानव संसाधन बाजार में दोनों पक्षों के बीच प्रतिस्पर्धा और तेज हो सकती है।

इसके अलावा, अमेरिकी निर्यात नियंत्रण अभी भी चीनी कंपनियों के भविष्य के विकास पथ को प्रभावित करेगा। चांगक्सिन के लिए, NAND क्षेत्र विशेष रूप से उन्नत 3D NAND स्टैकिंग तकनीक पर निर्भर है, और संबंधित उपकरण और प्रौद्योगिकी प्राप्त करना अभी भी मुश्किल है। इसलिए, प्रतिबंधित परिस्थितियों में तकनीकी सफलताओं को कैसे पूरा किया जाए, यह एक महत्वपूर्ण कारक बन जाएगा कि इसकी विस्तार योजना को लागू किया जा सकता है या नहीं।

विश्लेषकों का मानना ​​है कि चांगक्सिन और यांग्त्ज़ी मेमोरी क्रमशः चीन के दो प्रमुख DRAM और NAND शिविरों का प्रतिनिधित्व करते थे, लेकिन अब दोनों पार्टियों ने अपने व्यवसाय को भंडारण की सभी श्रेणियों में विस्तारित करना शुरू कर दिया है, जिसका अर्थ है कि चीन का भंडारण उद्योग एकीकरण और प्रतिस्पर्धा के एक नए चरण में प्रवेश कर रहा है।

एआई कंप्यूटिंग शक्ति की वैश्विक मांग में निरंतर वृद्धि के संदर्भ में, DRAM और NAND दोनों मुख्य रणनीतिक संसाधन बन गए हैं। जैसे-जैसे दो चीनी भंडारण दिग्गज धीरे-धीरे आमने-सामने प्रतिस्पर्धा की ओर बढ़ रहे हैं, प्रौद्योगिकी, उत्पादन क्षमता, प्रतिभा और बाजार हिस्सेदारी के इर्द-गिर्द मेमोरी चिप्स के लिए लड़ाई चुपचाप शुरू हो रही है।