सार:
चीनी मेमोरी चिप निर्माता चांगक्सिन मेमोरी (सीएक्सएमटी) ने हाल ही में अगली पीढ़ी की DRAM मेमोरी तकनीक की प्रगति की घोषणा की और 2026 के अंत तक 4F² मेमोरी यूनिट आर्किटेक्चर का उपयोग करके सर्वर DDR5 पंजीकृत मेमोरी मॉड्यूल (RDIMM) लॉन्च करने की योजना बनाई है। चूंकि सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स को पहले 2028 तक इसी तरह की तकनीक को आगे नहीं बढ़ाने के बारे में सोचा गया था, इसलिए इस समय सारिणी को एक बार यह संकेत देने के लिए व्याख्या की गई थी कि चांगक्सिन मेमोरी को विशिष्ट DRAM आर्किटेक्चर में अपने कोरियाई प्रतिद्वंद्वियों से लगभग दो गुना आगे रहने की उम्मीद है। साल.
हालांकि, वॉल स्ट्रीट के विश्लेषक इस दावे को लेकर सतर्क हैं। निवेश संस्थान रोसेनब्लैट का मानना है कि चांगक्सिन स्टोरेज के प्रौद्योगिकी रोडमैप को इस स्तर पर निर्णायक बढ़त हासिल करना स्पष्ट रूप से जल्दबाजी होगी। बैंक ऑफ अमेरिका ने यह भी बताया कि उन्नत सेमीकंडक्टर विनिर्माण उपकरणों पर संयुक्त राज्य अमेरिका के निर्यात प्रतिबंध चांगक्सिन मेमोरी को चिप क्षेत्र को कम करने के लिए अधिक उन्नत फोटोलिथोग्राफी प्रक्रियाओं पर निर्भर होने के बजाय मेमोरी यूनिट संरचनाओं में नवाचार पर अधिक भरोसा करने के लिए प्रेरित कर सकते हैं।
इस बहस का मूल यह नहीं है कि क्या चांगक्सिन स्टोरेज ने तकनीकी प्रगति की है, बल्कि यह है कि क्या इसके घोषित तकनीकी रोडमैप को वास्तव में स्थिर, कम लागत वाले और बड़े पैमाने पर वाणिज्यिक उत्पादों में बदला जा सकता है जिन्हें वितरित किया जा सकता है। DRAM उद्योग के लिए, उत्पाद जारी करना, इंजीनियरिंग सत्यापन पूरा करना, ग्राहक प्रमाणन पास करना और बड़े पैमाने पर उत्पादन प्राप्त करना पूरी तरह से अलग चरण हैं।
Wccftech के अनुसार, चांगक्सिन मेमोरी के अध्यक्ष काओ काई ने हाल ही में शंघाई में आयोजित इंटीग्रेटेड चिप और चिपलेट सम्मेलन में कंपनी की 4F² DRAM प्रौद्योगिकी प्रगति की शुरुआत की, और कहा कि वह 2026 के अंत से पहले इस आर्किटेक्चर के आधार पर सर्वर DDR5 RDIMM उत्पादों को लॉन्च करने की योजना बना रही है।
हालाँकि, अभी तक, चांगक्सिन स्टोरेज ने इस उत्पाद के पूर्ण प्रदर्शन विनिर्देशों, अंतिम परिचालन आवृत्ति, विशिष्ट क्षमता, बड़े पैमाने पर उत्पादन उपज और ग्राहक प्रमाणन स्थिति की घोषणा नहीं की है। इसलिए, इस स्तर पर, केवल रिलीज़ समय के आधार पर यह तय करना संभव नहीं है कि यह प्रदर्शन, लागत और विश्वसनीयता के मामले में सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन के उत्पादों के साथ पूरी तरह से प्रतिस्पर्धा कर सकता है या नहीं।
4F² एक सेल लेआउट तकनीक है जिसे DRAM स्टोरेज घनत्व को बढ़ाने के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस तकनीक को समझने के लिए, आपको पहले पारंपरिक DRAM मेमोरी कोशिकाओं की मूल संरचना को समझना होगा।
आधुनिक DRAM आमतौर पर 1T1C आर्किटेक्चर को अपनाता है, यानी प्रत्येक मेमोरी सेल में एक ट्रांजिस्टर और एक कैपेसिटर होता है। ट्रांजिस्टर डेटा के पढ़ने और लिखने को नियंत्रित करने के लिए जिम्मेदार है, और कैपेसिटर विद्युत चार्ज को संग्रहीत करके डेटा का प्रतिनिधित्व करता है। बड़ी संख्या में मेमोरी सेल को शब्द लाइनों और बिट लाइनों से बनी एक सरणी में व्यवस्थित किया जाता है, जो मेमोरी चिप के मुख्य भंडारण क्षेत्र का निर्माण करता है।
पारंपरिक 6F² लेआउट में, मेमोरी यूनिट का सैद्धांतिक तल क्षेत्र 6F² है, जहां F प्रक्रिया डिजाइन में न्यूनतम सुविधा आकार का प्रतिनिधित्व करता है। 4F² लेआउट ट्रांजिस्टर और इंटरकनेक्ट संरचनाओं की व्यवस्था को बदलकर इकाई क्षेत्र को 4F² तक संपीड़ित करने का प्रयास करता है ताकि ट्रांजिस्टर विमान पर पूरी तरह से खुलने के बजाय ऊर्ध्वाधर दिशा में व्यवस्थित हों।
समान फीचर आकार के तहत, 4F² मेमोरी कोशिकाओं का सैद्धांतिक क्षेत्र 6F² की तुलना में लगभग एक तिहाई कम हो जाता है। इसका मतलब यह है कि यदि परिधीय सर्किट, अन्य संरचनाएं और विनिर्माण स्थितियां अनुमति देती हैं, तो चिप एक ही क्षेत्र में अधिक मेमोरी कोशिकाओं को समायोजित कर सकती है, या समान भंडारण क्षमता के साथ चिप क्षेत्र को कम कर सकती है।
लेकिन एक आधार है जिसे आसानी से नजरअंदाज कर दिया जाता है:
इकाई क्षेत्र को एक तिहाई कम करने का मतलब यह नहीं है कि संपूर्ण DRAM चिप की लागत भी एक तिहाई कम हो जाएगी, न ही इसका मतलब यह है कि प्रदर्शन में अनिवार्य रूप से सुधार होगा।
भंडारण सरणी चिप का केवल एक हिस्सा है, और परिधीय सर्किट, पढ़ने और लिखने वाले सर्किट, अनावश्यक इकाइयां और अन्य संरचनाएं भी क्षेत्र पर कब्जा करती हैं। अंतिम लागत और घनत्व लाभ प्रक्रिया एकीकरण, विनिर्माण उपज और उत्पाद डिजाइन पर भी निर्भर करते हैं।चांगक्सिन मेमोरी द्वारा अपनाए गए समाधान को वर्टिकल सराउंडेड गेट (वीएसजी) ट्रांजिस्टर कहा जाता है। इसके ट्रांजिस्टर चैनल ऊर्ध्वाधर दिशा में व्यवस्थित होते हैं, और गेट आसपास से चैनल को नियंत्रित करता है, जो गेट नियंत्रण में सुधार और रिसाव को कम करने में मदद करता है। इस संरचना के साथ, निर्माताओं के पास एकल भंडारण इकाई के क्षेत्र को और कम करने का अवसर होता है।
चांगक्सिन स्टोरेज ने हाल ही में इस दिशा में शोध शुरू नहीं किया है। सार्वजनिक रिपोर्टों के अनुसार, कंपनी ने कई वर्षों तक 4F² आर्किटेक्चर पर शोध किया है और प्रासंगिक तकनीकी कागजात और पेटेंट प्रकाशित किए हैं। 2023 में, कंपनी ने इस आर्किटेक्चर का उपयोग करके पूर्ण 8 जीबी स्टोरेज ऐरे के अनुसंधान परिणामों का भी प्रदर्शन किया। कंपनी ने कहा कि उसने 4F² प्रौद्योगिकी के आसपास 300 से अधिक पेटेंट परिवार जमा कर लिए हैं।
ये शोध परिणाम बताते हैं कि 4F² सिर्फ वैचारिक डिजाइन चरण में नहीं है। लेकिन अनुसंधान नमूनों, पूर्ण सरणी प्रदर्शनों और परिपक्व वाणिज्यिक DRAM उत्पादों के बीच अभी भी काफी अंतर है। वास्तविक चुनौती यह है कि उच्च-घनत्व संरचना में स्थिर विद्युत विशेषताओं को कैसे प्राप्त किया जाए और यह सुनिश्चित किया जाए कि चिप में बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए पर्याप्त उच्च उपज हो।
बैंक ऑफ अमेरिका: निर्यात प्रतिबंध चांगक्सिन स्टोरेज को 4F² संरचनात्मक नवाचार में स्थानांतरित करने के लिए प्रेरित कर सकते हैं
बैंक ऑफ अमेरिका के विश्लेषकों का मानना है कि चांगक्सिन मेमोरी द्वारा 4F² तकनीक को बढ़ावा देना उन्नत सेमीकंडक्टर विनिर्माण उपकरण प्राप्त करने में चीन द्वारा सामना किए गए प्रतिबंधों से संबंधित है। उन्नत लिथोग्राफी उपकरण निर्यात नियंत्रण के अधीन होने के बाद, चीनी मेमोरी चिप कंपनियों के लिए सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन जैसी भंडारण घनत्व बढ़ाने के लिए लगातार सिकुड़ते प्रक्रिया आकार पर भरोसा करना मुश्किल है। इसलिए, वे मेमोरी कोशिकाओं की संरचना को बदलकर सफलताएं खोजने के लिए अधिक प्रेरित होते हैं।
DRAM निर्माण में, प्रक्रिया सिकुड़न और मेमोरी सेल संरचना नवाचार दो परस्पर संबंधित लेकिन समान तकनीकी पथ नहीं हैं।
प्रक्रिया स्केलिंग मुख्य रूप से मेमोरी कोशिकाओं की संख्या को बढ़ाती है जिन्हें कुंजी संरचनाओं के आकार को कम करके प्रति इकाई क्षेत्र में समायोजित किया जा सकता है। 4F² समान फीचर आकार के तहत सेल के सैद्धांतिक क्षेत्र को कम करने के लिए मेमोरी ऐरे में ट्रांजिस्टर के लेआउट को बदलने का प्रयास करता है। दोनों का उपयोग संयोजन में किया जा सकता है और ये दोनों में से कोई एक/या संबंध नहीं हैं।
चांगक्सिन मेमोरी की वर्तमान विनिर्माण क्षमताओं और प्रमुख अंतरराष्ट्रीय निर्माताओं की क्षमताओं के बीच अभी भी एक अंतर है। प्रासंगिक रिपोर्टों में बताया गया है कि इसके 4F² उत्पादों को मौजूदा लगभग 15-नैनोमीटर DRAM प्रक्रिया प्लेटफ़ॉर्म पर बनाए जाने की उम्मीद है, जबकि सैमसंग जैसे निर्माता अधिक उन्नत 10-नैनोमीटर DRAM प्रक्रिया पीढ़ी के लिए आगे बढ़े हैं।
इसलिए, भले ही चांगक्सिन मेमोरी बाजार में 4F² उत्पाद लाने वाली पहली कंपनी हो सकती है, लेकिन इसका मतलब यह नहीं है कि यह सभी प्रक्रिया संकेतकों में अग्रणी है। यह मेमोरी सेल संरचना में प्रगति कर सकता है, लेकिन इसे अभी भी विनिर्माण सटीकता, परिधीय सर्किट, चिप प्रदर्शन और समग्र लागत जैसी समस्याओं को हल करने की आवश्यकता है।
हालांकि, बैंक ऑफ अमेरिका ने इस तकनीक की संभावित प्रतिस्पर्धात्मकता से पूरी तरह इनकार नहीं किया। यदि चांगक्सिन मेमोरी 2027 और 2028 के बीच बड़े पैमाने पर उत्पादन प्राप्त कर सकती है, और सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन ने अभी भी बड़े पैमाने पर समान आर्किटेक्चर का व्यावसायीकरण नहीं किया है, तो चांगक्सिन मेमोरी के पास विशिष्ट उत्पाद क्षेत्रों में प्रतिस्पर्धात्मक लाभ हासिल करने का अवसर होगा।
यही कारण है कि इस प्रौद्योगिकी रिलीज़ ने बाज़ार का ध्यान आकर्षित किया है। DRAM उद्योग पर लंबे समय से तीन निर्माताओं का वर्चस्व रहा है: सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन। कोई भी नई तकनीक जो इकाई भंडारण लागत को बदल सकती है और चिप घनत्व को बढ़ा सकती है, तीनों कंपनियों के भविष्य के प्रतिस्पर्धी परिदृश्य को प्रभावित कर सकती है।
रोसेनब्लैट: प्रौद्योगिकी रोडमैप को सीधे व्यावसायीकरण नेतृत्व के साथ नहीं जोड़ा जा सकता है
बैंक ऑफ अमेरिका के अपेक्षाकृत सतर्क रवैये की तुलना में, रोसेनब्लैट विश्लेषक तकनीकी नेतृत्व के चांगक्सिन स्टोरेज के दावे के बारे में अधिक संशय में हैं, उनका मानना है कि दो साल पहले अग्रणी प्रतिस्पर्धियों के तथाकथित निष्कर्ष में वर्तमान में पर्याप्त आधार का अभाव है।
रोसेनब्लैट ने बताया कि सैमसंग और एसके हाइनिक्स 4F² आर्किटेक्चर का अध्ययन नहीं कर रहे हैं। प्रासंगिक कंपनियों ने वर्षों के अनुसंधान एवं विकास संसाधनों का निवेश किया है, लेकिन इस तकनीक का अभी तक वाणिज्यिक उत्पादों में व्यापक रूप से उपयोग नहीं किया गया है। एक कारण यह है कि जहां 4F² संरचना घनत्व बढ़ाती है, वहीं यह नई विनिर्माण समस्याएं भी लाती है।
जैसे-जैसे ट्रांजिस्टर, कैपेसिटर और संबंधित इंटरकनेक्ट संरचनाएं अधिक कॉम्पैक्ट होती जाती हैं, प्रक्रिया नियंत्रण अधिक कठिन हो सकता है। ट्रांजिस्टर के आकार और स्थान में छोटे विचलन मेमोरी सेल के विद्युत प्रदर्शन को प्रभावित कर सकते हैं। संरचना जितनी सख्त होगी, विनिर्माण प्रक्रिया के दौरान उतने ही अधिक परिवर्तनशील तत्वों को नियंत्रित करने की आवश्यकता होगी, और दोषों से बचना अधिक कठिन हो सकता है।
इसके अलावा, मेमोरी चिप्स उपज के प्रति बेहद संवेदनशील होते हैं। एक DRAM चिप में बड़ी संख्या में मेमोरी सेल होते हैं। भले ही किसी एकल कोशिका में दोष की संभावना बहुत कम हो, फिर भी यह पूरे सरणी में महत्वपूर्ण उपज हानि में जमा हो सकती है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि अंतिम उत्पाद वाणिज्यिक मानकों को पूरा करता है, निर्माताओं को अनावश्यक डिजाइन, परीक्षण और मरम्मत तंत्र के माध्यम से दोषों को नियंत्रित करना चाहिए।
यदि नई वास्तुकला सैद्धांतिक घनत्व को बढ़ा सकती है, लेकिन उपज में कमी, विनिर्माण लागत में वृद्धि, या अपर्याप्त उत्पाद विश्वसनीयता की ओर ले जाती है, तो यह परिपक्व 6F² समाधान से अधिक किफायती नहीं हो सकता है।
रोसेनब्लैट का संदेह इस बिंदु पर आधारित है: चांगक्सिन मेमोरी की 4F² उत्पादों को लॉन्च करने की योजना की घोषणा का मतलब यह नहीं है कि इसने साबित कर दिया है कि यह प्रतिस्पर्धी लागत पर स्थिर बड़े पैमाने पर उत्पादन प्राप्त कर सकता है। यह आंकने के लिए कि क्या प्रौद्योगिकी वास्तव में अग्रणी है, आपको दोनों कंपनियों द्वारा प्रकाशित समय सारिणी की तुलना करने के बजाय वास्तविक उत्पादों, विश्वसनीय प्रदर्शन डेटा और वाणिज्यिक विनिर्माण परिणामों को देखने की आवश्यकता है।
सैमसंग और एसके हाइनिक्स भी 4F² तकनीक को बढ़ावा दे रहे हैं
उद्योग विकास के दृष्टिकोण से, 4F² चांगक्सिन स्टोरेज की एक अद्वितीय तकनीकी दिशा नहीं है।
सैमसंग ने पहले सार्वजनिक रूप से ऊर्ध्वाधर चैनल ट्रांजिस्टर का उपयोग करके 4F² DRAM डिज़ाइन का प्रदर्शन किया है, और परिधीय सर्किट के साथ मेमोरी सेल सरणी को अधिक लचीले ढंग से एकीकृत करने के लिए वेफर-स्तरीय हाइब्रिड बॉन्डिंग तकनीक का अध्ययन कर रहा है। संबंधित प्रौद्योगिकियों से भंडारण घनत्व में वृद्धि करते हुए चिप क्षेत्र के उपयोग में सुधार की उम्मीद है।
पिछली उद्योग रिपोर्टों में 4F² आर्किटेक्चर का उपयोग करके सैमसंग के बड़े पैमाने पर उत्पादन का समय 2028 के आसपास बताया गया था। हालाँकि, बाद की कोरियाई मीडिया रिपोर्टों से पता चला कि प्रासंगिक तकनीकी मार्ग और विशिष्ट समय सारिणी अभी भी परिवर्तन के अधीन हैं, और 2028 को बड़े पैमाने पर उत्पादन की पुष्टि की तारीख नहीं माना जा सकता है।
एसके हाइनिक्स ने वर्टिकल ट्रांजिस्टर, 4F² मेमोरी सेल और त्रि-आयामी DRAM के आसपास अनुसंधान योजनाओं की भी घोषणा की है। माइक्रोन के संबंधित रोडमैप में समान रूप से स्पष्ट सार्वजनिक समय सारिणी नहीं है।
इसलिए, तथाकथित चांगक्सिन स्टोरेज दो साल आगे है, वास्तव में 2026 के अंत तक उत्पादों को लॉन्च करने के चांगक्सिन स्टोरेज के लक्ष्य की तुलना अपने प्रतिस्पर्धियों के पहले रिपोर्ट किए गए अनुसंधान एवं विकास या बड़े पैमाने पर उत्पादन समय से कर रहा है। हालाँकि, जिसे अलग-अलग कंपनियाँ "लॉन्चिंग उत्पाद", "प्रौद्योगिकी का परिचय" और "बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करना" कहती हैं, वह क्रमशः इंजीनियरिंग नमूने, ग्राहक नमूने, जोखिम उत्पादन या बड़े पैमाने पर व्यावसायीकरण जैसे विभिन्न चरणों के अनुरूप हो सकता है।
यदि हम इन अवधारणाओं के बीच अंतर नहीं करते हैं और उन्हें सीधे अग्रणी वर्षों में परिवर्तित नहीं करते हैं, तो तकनीकी अंतर को बढ़ा-चढ़ाकर बताना आसान है।
असली परीक्षा यह है कि क्या यह बड़े पैमाने पर उत्पादन को स्थिर कर सकता है और सर्वर ग्राहकों से मान्यता प्राप्त कर सकता है
चांगक्सिन स्टोरेज इस बार जिस उत्पाद को लॉन्च करने की योजना बना रहा है वह DDR5 RDIMM है, जो सर्वर और वर्कस्टेशन के लिए एक पंजीकृत मेमोरी मॉड्यूल है।
आरडीआईएमएम आमतौर पर मेमोरी कंट्रोलर पर विद्युत भार को कम करने के लिए एक रजिस्टर या बफर तंत्र का उपयोग करता है, जिससे सर्वर प्लेटफ़ॉर्म अधिक मेमोरी मॉड्यूल और बड़ी मेमोरी क्षमता का समर्थन कर सकता है। सामान्य डेस्कटॉप मेमोरी की तुलना में, सर्वर मेमोरी में विश्वसनीयता, स्थिरता, अनुकूलता और दीर्घकालिक आपूर्ति क्षमताओं की सख्त आवश्यकताएं होती हैं।
इसका मतलब यह भी है कि भले ही चांगक्सिन मेमोरी 4F² आर्किटेक्चर का उपयोग करके DRAM चिप्स का सफलतापूर्वक निर्माण करती है, इसे सर्वर बाजार में प्रवेश करने से पहले मॉड्यूल डिजाइन, सिस्टम संगतता परीक्षण और ग्राहक प्रमाणन को पूरा करना होगा।
डेटा सेंटर ग्राहक तुरंत एक निश्चित प्रकार की मेमोरी को बड़े पैमाने पर तैनात नहीं करेंगे क्योंकि यह एक नई स्टोरेज यूनिट संरचना का उपयोग करता है। मेमोरी को विभिन्न भारों के तहत स्थिर रहना चाहिए और त्रुटि नियंत्रण, तापमान प्रबंधन, दीर्घकालिक संचालन और आपूर्ति स्थिरता जैसी आवश्यकताओं को पूरा करना चाहिए। किसी भी लिंक में समस्या उत्पाद के व्यावसायीकरण की प्रगति को प्रभावित कर सकती है।
प्रासंगिक रिपोर्ट जारी होने के समय तक, चांगक्सिन मेमोरी ने नए उत्पाद की पूरी क्षमता, परिचालन आवृत्ति, चिप घनत्व, अंतिम विनिर्माण प्रक्रिया, बड़े पैमाने पर उत्पादन पैमाने और ग्राहक सूची का खुलासा नहीं किया है, और किसी तीसरे पक्ष ने स्वतंत्र रूप से इस 4F² उत्पाद का परीक्षण नहीं किया है। इसलिए, यह बताना फिलहाल असंभव है कि इसका वास्तविक प्रदर्शन मौजूदा सैमसंग, एसके हाइनिक्स या माइक्रोन उत्पादों से बेहतर है या नहीं।
यदि कंपनी योजना के अनुसार उत्पाद लॉन्च कर सकती है और धीरे-धीरे अपनी उपज, स्थिरता और लागत लाभ साबित कर सकती है, तो यह तकनीक चीन के DRAM उद्योग के लिए एक महत्वपूर्ण विकास बन सकती है। इसके विपरीत, यदि उत्पाद लॉन्च के समय में देरी होती है, या बड़े पैमाने पर उत्पादन के बाद उपज और लागत की समस्याओं का सामना करना पड़ता है, तो दो साल पहले तथाकथित लीड स्थापित करना मुश्किल होगा।
औद्योगिक प्रतिस्पर्धा के नजरिए से, चांगक्सिन मेमोरी को अब अंतरराष्ट्रीय DRAM बाजार में एक सीमांत खिलाड़ी के रूप में नहीं माना जा सकता है। इसकी पांचवीं पीढ़ी का G5 DRAM प्लेटफॉर्म बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश कर चुका है और इसकी बाजार हिस्सेदारी भी बढ़ रही है। ट्रेंडफोर्स डेटा से पता चलता है कि वैश्विक DRAM राजस्व में चांगक्सिन मेमोरी की हिस्सेदारी 2026 की दूसरी तिमाही में 9.5% तक पहुंच गई, जो पहली तिमाही में 7.6% से अधिक है, जो दुनिया में चौथे स्थान पर है।
इससे पता चलता है कि चांगक्सिन स्टोरेज धीरे-धीरे अपने व्यवसाय के पैमाने का विस्तार कर रहा है और नए आर्किटेक्चर के अनुसंधान और विकास में अधिक संसाधनों का निवेश करने की क्षमता रखता है। हालाँकि, बढ़ती बाज़ार हिस्सेदारी और अगली पीढ़ी की भंडारण तकनीक में महारत हासिल करना अभी भी दो अलग-अलग चीज़ें हैं। सिर्फ इसलिए कि पहले ने प्रगति की है, यह सीधे तौर पर यह निष्कर्ष नहीं निकाला जा सकता कि दूसरा सफल रहा है।
कुल मिलाकर, चांगक्सिन मेमोरी की 4F² DDR5 योजना ध्यान देने योग्य है, लेकिन इस स्तर पर इसे एक स्थापित पीढ़ीगत नेतृत्व के बजाय संभावित क्षमता वाले प्रौद्योगिकी मार्ग के रूप में मानना अधिक उपयुक्त है जिसे अभी भी व्यावसायीकरण की आवश्यकता है।
4F² आर्किटेक्चर वास्तव में सैद्धांतिक रूप से भंडारण कोशिकाओं के घनत्व को बढ़ा सकता है, और चांगक्सिन मेमोरी ने संबंधित अनुसंधान और पेटेंट नींव भी जमा की है। हालाँकि, क्या यह तकनीक वैश्विक DRAM बाज़ार पैटर्न को बदल सकती है या नहीं यह अंततः इस बात पर निर्भर करता है कि क्या उत्पाद को निर्धारित समय पर लॉन्च किया जा सकता है, क्या विनिर्माण उपज आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है, क्या इकाई भंडारण लागत प्रतिस्पर्धी है, और क्या सर्वर ग्राहक इसे बड़े पैमाने पर अपनाने के इच्छुक हैं।
सैमसंग, एसके हाइनिक्स और माइक्रोन के लिए, चांगक्सिन मेमोरी की प्रगति निरंतर ध्यान देने योग्य है; लेकिन पूरे उद्योग के लिए, वास्तव में निर्णायक नोड एक नई वास्तुकला को अपनाने की घोषणा करना नहीं है, बल्कि इसे एक स्थिर, विश्वसनीय और स्थायी रूप से लाभदायक बड़े पैमाने पर उत्पादित उत्पाद में बदलना है।
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