चीन की मेमोरी चिप तकनीक दुनिया के अग्रणी स्तर को पकड़ने के लिए तेजी से आगे बढ़ रही है। कोरियाई उद्योग संघ ने कहा कि कुछ क्षेत्रों में अंतर कम होकर 1 से 3 साल हो गया है।

📅 2026-09-16

सार:

चीन का मेमोरी चिप उद्योग अभूतपूर्व गति से दुनिया के अग्रणी निर्माताओं के साथ तकनीकी अंतर को कम कर रहा है। कोरिया सेमीकंडक्टर इंडस्ट्री एसोसिएशन के नवीनतम आकलन के अनुसार, चीन की दो प्रमुख मेमोरी कंपनियों, यांग्त्ज़ी रिवर मेमोरी (YMTC) और चांगक्सिन मेमोरी (CXMT) ने प्रमुख प्रौद्योगिकी क्षेत्रों में महत्वपूर्ण पकड़ हासिल की है। उनमें से, NAND फ्लैश मेमोरी क्षेत्र में प्रौद्योगिकी अंतर लगभग 1 वर्ष तक कम हो गया है, DRAM क्षेत्र में लगभग 2 वर्ष है, और उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी (HBM) क्षेत्र में अंतर लगभग 3 वर्ष है।

इस मूल्यांकन परिणाम ने कोरियाई सेमीकंडक्टर उद्योग में व्यापक ध्यान आकर्षित किया है। यह ध्यान देने योग्य है कि केवल कुछ साल पहले, उद्योग आमतौर पर मानता था कि चीन के मेमोरी उद्योग और अंतरराष्ट्रीय उन्नत स्तर के बीच अभी भी लगभग 5 वर्षों का प्रौद्योगिकी उत्पादन अंतर है। आज, यह अंतर कई खंडों में काफी कम हो गया है, जिससे पता चलता है कि हाल के वर्षों में चीन के भंडारण उद्योग की विकास गति बाजार की अपेक्षाओं से कहीं अधिक है।

NAND फ्लैश मेमोरी के क्षेत्र में, यांग्त्ज़ी मेमोरी को सबसे स्पष्ट प्रगति माना जाता है। चीन में सबसे बड़े NAND निर्माता के रूप में, कंपनी ने हाल के वर्षों में उच्च-स्तरीय डिजिटल 3D NAND तकनीक के अनुसंधान और विकास को बढ़ावा देना जारी रखा है। उद्योग के आंकड़ों से पता चलता है कि जब सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइनिक्स ने 2025 में 300-लेयर NAND उत्पादों का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया, तो यांग्त्ज़ी मेमोरी के पास पहले से ही 270-लेयर उत्पादों की उत्पादन क्षमता है। वर्तमान विकास मार्ग के अनुसार, यांग्त्ज़ी मेमोरी से 2027 में 400-स्तरीय NAND उत्पादों को बढ़ावा देने की उम्मीद है, जिसका अर्थ है कि इसके और अंतरराष्ट्रीय अग्रणी कंपनियों के बीच का समय अंतराल लगभग एक वर्ष तक कम हो जाएगा।

DRAM क्षेत्र में विकास भी ध्यान आकर्षित कर रहा है। कोरियाई कंपनियां सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइनिक्स 2023 में डीडीआर5 उत्पादों का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करेंगी, जबकि चांगक्सिन मेमोरी 2025 में डीडीआर5 युग में प्रवेश करेगी, इसलिए इसे अंतरराष्ट्रीय अग्रणी स्तर के साथ लगभग दो साल का प्रौद्योगिकी अंतर बनाए रखने के लिए माना जाता है। हालाँकि, चांगक्सिन मेमोरी ने हाल के वर्षों में अपने उत्पाद पुनरावृत्ति में काफी तेजी ला दी है। इसने न केवल एलपीडीडीआर5एक्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन हासिल किया है, बल्कि इसने अपनी बाजार प्रतिस्पर्धात्मकता को और बढ़ाने के लिए एलपीडीडीआर6 उत्पादों के उत्पादन को बढ़ावा देना भी शुरू कर दिया है।

NAND और पारंपरिक DRAM की तुलना में, उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी HBM को अभी भी चीन के भंडारण उद्योग में सबसे चुनौतीपूर्ण तकनीकी क्षेत्र माना जाता है। वर्तमान उद्योग आकलन का मानना ​​है कि चीन की एचबीएम प्रौद्योगिकी और अंतरराष्ट्रीय अग्रणी स्तर के बीच अभी भी लगभग 3 साल का अंतर है। हालाँकि चांगक्सिन मेमोरी ने HBM3E उत्पादों का परीक्षण उत्पादन शुरू कर दिया है, लेकिन उपज दर अभी भी निम्न स्तर पर है, विशेष रूप से वर्टिकल इंटरकनेक्ट के माध्यम से टीएसवी थ्रू-सिलिकॉन जैसे कोर विनिर्माण लिंक में, जो अभी भी स्पष्ट तकनीकी चुनौतियों का सामना कर रहे हैं।

एचबीएम अनुसंधान और विकास में तेजी लाने के लिए, चीनी भंडारण कंपनियां अधिक नवीन प्रौद्योगिकी मार्गों की कोशिश कर रही हैं। रिपोर्ट में बताया गया है कि चांगक्सिन स्टोरेज यांग्त्ज़ी स्टोरेज की परिपक्व एक्सटैकिंग हाइब्रिड बॉन्डिंग तकनीक का उपयोग करके एचबीएम उत्पादों के निर्माण के लिए यांग्त्ज़ी स्टोरेज के साथ सहयोग कर रहा है। माइक्रो-बंप के माध्यम से मेमोरी चिप्स को जोड़ने की पारंपरिक विधि से अलग, यह कॉपर-टू-कॉपर हाइब्रिड बॉन्डिंग तकनीक विभिन्न वेफर परतों को सीधे जोड़ सकती है, सर्किट पथ को छोटा कर सकती है, स्टैकिंग दक्षता में सुधार कर सकती है, और उन्नत ईयूवी लिथोग्राफी उपकरणों पर निर्भरता को कुछ हद तक कम करने की उम्मीद है।

विश्लेषकों का मानना ​​है कि हाल के वर्षों में चीनी भंडारण कंपनियों द्वारा की गई प्रगति न केवल प्रयोगशाला प्रौद्योगिकी सत्यापन चरण में, बल्कि उत्पाद बड़े पैमाने पर उत्पादन और औद्योगीकरण क्षमताओं में भी परिलक्षित होती है। उत्पादन क्षमता के विस्तार, प्रतिभाओं के संचय और स्थानीय उपकरण सहायक प्रणाली के क्रमिक सुधार के साथ, चीन का भंडारण उद्योग धीरे-धीरे अतीत में एक मात्र कैचर से अंतरराष्ट्रीय प्रतिस्पर्धात्मकता के साथ एक महत्वपूर्ण बाजार खिलाड़ी में बदल रहा है।

कोरियाई भंडारण उद्योग के लिए, यह परिवर्तन भी बहुत महत्वपूर्ण है। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और एसके हाइनिक्स ने लंबे समय से वैश्विक भंडारण बाजार में अग्रणी स्थान रखा है, लेकिन जैसे-जैसे चीनी कंपनियां अंतर को कम करना जारी रखती हैं, भविष्य में बाजार में प्रतिस्पर्धा और तेज होने की उम्मीद है।

हालांकि चीनी कंपनियां अभी भी उन्नत एचबीएम उत्पादों और कुछ उच्च-स्तरीय प्रक्रियाओं के मामले में अंतरराष्ट्रीय अग्रणी निर्माताओं से पीछे हैं, उद्योग पर्यवेक्षकों का आमतौर पर मानना ​​है कि यांग्त्ज़ी मेमोरी और चांगक्सिन मेमोरी ने हाल के वर्षों में कई लोगों की अपेक्षा से अधिक तेजी से पकड़ बनाई है। यदि वर्तमान विकास प्रवृत्ति जारी रहती है, तो वैश्विक भंडारण उद्योग परिदृश्य अगले कुछ वर्षों में नए बदलाव ला सकता है।

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