सार:
ताइपे में आयोजित SEMICON ताइवान 2026 के दौरान, सैमसंग ने HBM5 और नए zHBM आर्किटेक्चर पर ध्यान केंद्रित करते हुए अपने नवीनतम मेमोरी उत्पाद रोडमैप की घोषणा की। सैमसंग ने कहा कि HBM5 का लक्ष्य HBM4E की तुलना में लगभग दोगुना समग्र प्रदर्शन हासिल करना है, जबकि यूनिट बिजली की खपत के प्रदर्शन को 20% तक बढ़ाना और थर्मल प्रतिरोध को 20% तक कम करना है।
HBM5 बेसिक डाई के निर्माण के लिए सैमसंग की स्व-विकसित 2nm प्रक्रिया का उपयोग करेगा, जो HBM4 और HBM4E द्वारा उपयोग की जाने वाली 4nm प्रक्रिया की जगह लेगी। उत्पाद स्टैकिंग परतों की संख्या भी 12, 16 और 20 परतों तक विस्तारित की जाएगी, और 2028 के आसपास बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश करने की उम्मीद है।
सैमसंग ने हाल ही में हॉट चिप्स 2026 सम्मेलन की पूर्वावलोकन सामग्री में भी पुष्टि की कि कंपनी 16 जीबीपीएस प्रति पिन की लक्ष्य गति के साथ एचबीएम4ई लॉन्च करने की तैयारी कर रही है। वर्तमान में सैमसंग द्वारा भेजे जा रहे HBM4 की गति 11.7 Gbps प्रति पिन है।
पारंपरिक HBM डिज़ाइन की तुलना में जो मेमोरी को एक्सेलेरेटर के बगल में रखता है, zHBM अधिक रेडिकल वर्टिकल इंटीग्रेशन विधि को अपनाता है, मेमोरी को सीधे प्रोसेसर के शीर्ष पर रखता है, जिससे डेटा ट्रांसमिशन पथ छोटा हो जाता है और बैंडविड्थ और ऊर्जा दक्षता में सुधार होता है। सैमसंग का अनुमान है कि zHBM का कच्चा प्रदर्शन HBM4E के 8 गुना तक पहुंच जाएगा, और इसकी यूनिट बिजली खपत का प्रदर्शन 3 गुना तक पहुंच जाएगा, जबकि थर्मल प्रतिरोध को 75% से 90% तक कम कर देगा।
सैमसंग ने FMS 2026 में उद्योग के पहले zHBM अवधारणा उत्पादों का प्रदर्शन किया है, और इस नए आर्किटेक्चर को 2029 के बाद लॉन्च किए जाने की उम्मीद है। HBM आर्किटेक्चर को फिर से डिज़ाइन करना उद्योग विकास की दिशा बन गया है। NVIDIA ने हाल ही में एक अनुकूलित NVHBM मेमोरी समाधान की भी घोषणा की है, जो मेमोरी कंट्रोलर को कंप्यूटिंग डाई से HBM बेसिक डाई में स्थानांतरित करता है।
NAND क्षेत्र में, सैमसंग 2028 में नमूना वितरण के लिए zNAND-O विकसित कर रहा है। उत्पाद का लक्ष्य पारंपरिक NAND की पावर दक्षता को बनाए रखते हुए लगभग 7 गुना रीड बैंडविड्थ प्रदान करते हुए DRAM के बराबर 10 गुना बिट घनत्व प्राप्त करना है।
सैमसंग के सामने प्रतिस्पर्धा भी तीव्र होती जा रही है। एसके हाइनिक्स के अलावा, चीनी स्टोरेज निर्माता यांग्त्ज़ी मेमोरी ने भी हाल ही में 2027 के अंत तक सैमसंग और एसके हाइनिक्स को पार करने की योजना बनाते हुए महत्वाकांक्षी लक्ष्य सामने रखे हैं।
इवेंट से पहले आयोजित मेमोरी एक्जीक्यूटिव समिट में, सैमसंग ने "C.U.B.E" नामक एक मेमोरी डेवलपमेंट फ्रेमवर्क भी पेश किया, जो क्षमता, उपयोग, बैंडविड्थ और दक्षता के लिए है। रणनीति में मेमोरी क्षमता का लंबवत विस्तार करके पीसीबी फ़ुटप्रिंट को बढ़ाए बिना क्षमता बढ़ाना शामिल है; विलंबता को कम करने के लिए अनुकूलित 3डी आर्किटेक्चर का उपयोग करना; पारंपरिक क्षैतिज डेटा पथों को बदलने के लिए ऊर्ध्वाधर उच्च गति चैनलों का उपयोग करना; और बिट स्तर से बिजली की खपत नियंत्रण और गर्मी अपव्यय प्रबंधन में सुधार करना।
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