सार:
चांगक्सिन टेक्नोलॉजी ने तीसरी तिमाही के प्रदर्शन विनिमय बैठक में कहा कि 4F² वर्टिकल चैनल DRAM आर्किटेक्चर की प्रमुख सफलता के आधार पर, छठी पीढ़ी की प्रक्रिया प्रौद्योगिकी प्लेटफॉर्म ने इंजीनियरिंग नमूनों का सत्यापन पूरा कर लिया है। यह पहली बार है कि चांगक्सिन ने घोषणा की कि छठी पीढ़ी की प्रक्रिया प्रौद्योगिकी प्लेटफॉर्म 4F² आर्किटेक्चर पर आधारित है।
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उद्योग अभ्यास के अनुसार, इंजीनियरिंग नमूना सत्यापन पूरा होने का मतलब है कि प्लेटफ़ॉर्म के मुख्य प्रदर्शन संकेतक वास्तविक वेफर्स पर डिज़ाइन अपेक्षाओं तक पहुंच गए हैं, और ग्राहक सत्यापन पूरा करने के बाद यह बड़े पैमाने पर उत्पादन चरण में प्रवेश कर सकता है। चांगक्सिन ने पहले एक सार्वजनिक भाषण में कहा था कि सर्वर क्षेत्र के लिए वर्ष के अंत तक 4F² उन्नत तकनीक को एकीकृत करते हुए DDR5 RDIMM उत्पादों की एक नई पीढ़ी लॉन्च करने की उम्मीद है, जो आवेदन करने के लिए सबसे कठिन क्षेत्रों में से एक है।
सार्वजनिक रूप से प्रकट प्रगति के संदर्भ में, चांगक्सिन 4F² इंजीनियरिंग को बढ़ावा देने में दुनिया में सबसे आगे है: सैमसंग और एसके हाइनिक्स दोनों ने 10nm स्तर से नीचे 4F² को एक प्रमुख दिशा के रूप में सूचीबद्ध किया है, और चांगक्सिन ने इंजीनियरिंग नमूना सत्यापन पूरा करने में अग्रणी भूमिका निभाई है; यदि बाद की प्रगति सुचारू रूप से चलती है, तो उम्मीद है कि चांगक्सिन 4F² को लागू करने वाली दुनिया की पहली कंपनी बन जाएगी।
4F² को DRAM कोशिकाओं की सिकुड़न बाधा को दूर करने और 3D DRAM की ओर बढ़ने के लिए एक महत्वपूर्ण मार्ग माना जाता है। DRAM प्रौद्योगिकी का विकास हमेशा घनत्व में सुधार के आसपास घूमता रहा है - प्रति बिट लागत को फैलाने के लिए एक ही आकार के वेफर पर अधिक इकाइयों को एकीकृत करना। लेकिन 10nm स्तर में प्रवेश करने के बाद, मूल 6F² अस्थिर हो गया है और भौतिक सीमा के करीब पहुंच रहा है। आईईईई इंटरनेशनल डिवाइसेस एंड सिस्टम्स रोडमैप (आईआरडीएस) स्पष्ट रूप से बताता है कि जब हाफ-पिच स्केलिंग तेजी से कठिन हो जाती है, तो "लागत रुझान को बनाए रखने के लिए 6F² से 4F² इकाइयों में संक्रमण सबसे आशाजनक मार्ग है।"
4F² इकाई क्षेत्र 2F×2F है (F फोटोलिथोग्राफी तकनीक द्वारा प्राप्त की जाने वाली न्यूनतम लाइन चौड़ाई या रिक्ति है), जो मुख्यधारा 6F² इकाई का लगभग दो-तिहाई है। यह दुनिया भर के प्रमुख भंडारण निर्माताओं की एक आम पसंद बन गया है। एसके हाइनिक्स ने 4F² वर्टिकल गेट (वीजी) प्लेटफॉर्म और 3डी डीआरएएम को दो प्रमुख तकनीकी स्तंभों के रूप में सूचीबद्ध किया है। सैमसंग ने ISSCC 2026 में 10nm 4F² पेपर प्रकाशित किया, और इसके CTO ने इस साल अक्टूबर में सार्वजनिक रूप से पुष्टि की कि यह भी विकसित हो रहा है; उद्योग 4F² को 3D DRAM के लिए एक आवश्यक चरण के रूप में भी मानता है।
चांगक्सिन के 4F² आर्किटेक्चर का मूल स्व-विकसित वीएसजी (वर्टिकल सराउंडिंग गेट) ट्रांजिस्टर है। इसकी ऊर्ध्वाधर आसपास की चैनल संरचना में मजबूत गेट नियंत्रण है, जो छोटे चैनल प्रभाव और रिसाव को कम कर सकता है। वास्तुशिल्प स्तर पर, यह समाधान DRAM और CMOS की विनिर्माण प्रक्रियाओं को अलग करता है, और फिर वेफर-स्तरीय हाइब्रिड बॉन्डिंग के माध्यम से उच्च गति इंटरकनेक्शन का एहसास करता है, ताकि तर्क प्रदर्शन, भंडारण घनत्व और विश्वसनीयता को अलग से अनुकूलित किया जा सके।
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