एसके हाइनिक्स आईएचबीएम प्रौद्योगिकी की तैनाती में तेजी लाता है, और नई पीढ़ी के एचबीएम की गर्मी अपव्यय क्षमता 30% बढ़ जाती है

📅 2026-10-21

सार:

दक्षिण कोरियाई मेमोरी चिप की दिग्गज कंपनी एसके हाइनिक्स iHBM (इंटीग्रेटेड हाई बैंडविड्थ मेमोरी) तकनीक की नई पीढ़ी को बड़े पैमाने पर उत्पादन चरण में बढ़ावा दे रही है और संबंधित बड़े पैमाने पर उत्पादन योजनाओं पर चर्चा शुरू कर दी है। कृत्रिम बुद्धिमत्ता उद्योग के तेजी से विकास के कारण कंप्यूटिंग शक्ति की मांग में वृद्धि का सामना करते हुए, उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी (एचबीएम) की गर्मी अपव्यय समस्या प्रदर्शन सुधार को प्रभावित करने वाली एक महत्वपूर्ण बाधा बन रही है, और आईएचबीएम को इस समस्या को हल करने के लिए एक महत्वपूर्ण तकनीकी मार्ग माना जाता है।

हाल के वर्षों में, जनरेटिव आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस, बड़े पैमाने पर मॉडल प्रशिक्षण और उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों के तेजी से विस्तार के साथ, एचबीएम का महत्व लगातार बढ़ रहा है। उच्च डेटा थ्रूपुट क्षमताएं प्राप्त करने के लिए, एचबीएम स्टैकिंग परतों की संख्या में वृद्धि करना और ट्रांसमिशन गति में सुधार करना जारी रखता है, लेकिन इसके साथ आने वाली गर्मी संचय की समस्या अधिक से अधिक गंभीर होती जा रही है। विशेष रूप से एचबीएम और जीपीयू के बीच उच्च गति डेटा विनिमय कार्यों के लिए जिम्मेदार प्रमुख क्षेत्रों में, बड़ी मात्रा में गर्मी केंद्रित होती है, जो चिप स्थिरता और प्रदर्शन के लिए चुनौतियां पैदा करती है।

इस समस्या को हल करने के लिए, SK hynix ने iHBM तकनीक विकसित की। मुख्य विचार एचबीएम पैकेज के अंदर आईसीई (इंटीग्रेटेड कूलिंग एलिमेंट) नामक एक विशेष संरचना पेश करना है। सिलिकॉन-आधारित सामग्री से निर्मित जो अत्यधिक तापीय रूप से प्रवाहकीय है लेकिन विद्युत प्रवाहकीय नहीं है, इन तत्वों को सीधे उन क्षेत्रों में रखा जाता है जहां गर्मी सबसे अधिक केंद्रित होती है, जिससे गर्मी को फैलने के लिए अतिरिक्त मार्ग मिलते हैं।

पारंपरिक एचबीएम के विपरीत, जो मुख्य रूप से चिप की आंतरिक संरचना के माध्यम से अप्रत्यक्ष गर्मी संचालन पर निर्भर करता है, आईएचबीएम अधिक सक्रिय गर्मी अपव्यय डिजाइन को अपनाता है और नए गर्मी चालन चैनलों के माध्यम से सीधे गर्म स्थानों से गर्मी को नष्ट कर देता है। एसके हाइनिक्स द्वारा जारी आंकड़ों के अनुसार, यह समाधान थर्मल प्रतिरोध को लगभग 30% तक कम कर सकता है, जिससे चिप को उच्च तापमान और उच्च भार की स्थिति में भी स्थिर संचालन बनाए रखने में मदद मिलती है।

ऐसे डेटा केंद्रों के लिए जो लगातार कृत्रिम बुद्धिमत्ता प्रशिक्षण कार्य चलाते हैं, शीतलन क्षमता में यह सुधार बहुत महत्वपूर्ण है। क्योंकि अत्यधिक तापमान के कारण चिप स्वचालित रूप से आवृत्ति कम कर देगी, जिससे कंप्यूटिंग दक्षता प्रभावित होगी, बेहतर थर्मल प्रबंधन क्षमताएं न केवल प्रदर्शन को बेहतर बनाने में मदद करेंगी, बल्कि ऊर्जा दक्षता और सिस्टम स्थिरता में भी सुधार करेंगी।

प्रदर्शन में सुधार के अलावा, एसके हाइनिक्स ने इस तकनीक के बड़े पैमाने पर उत्पादन की व्यवहार्यता पर भी जोर दिया। iHBM कंपनी की मौजूदा परिपक्व MR-MUF पैकेजिंग प्रक्रिया और वेफर-स्तरीय पैकेजिंग तकनीक पर आधारित है, और बड़े पैमाने पर विनिर्माण प्राप्त करने के लिए मौजूदा उत्पादन प्रणालियों का उपयोग कर सकता है। साथ ही, यह समाधान वर्तमान में व्यापक रूप से उपयोग किए जाने वाले सिस्टम-स्तरीय पैकेजिंग आर्किटेक्चर के साथ उच्च संगतता बनाए रखता है, और ग्राहक संपूर्ण उत्पाद को महत्वपूर्ण रूप से नया स्वरूप दिए बिना संबंधित तकनीकों को पेश कर सकते हैं।

जैसे-जैसे एचबीएम उच्च स्टैकिंग परतों में विकसित हो रहा है, उद्योग आमतौर पर मानता है कि गर्मी अपव्यय क्षमता अगले चरण में प्रतिस्पर्धा के मुख्य संकेतकों में से एक बन जाएगी। एसके हाइनिक्स ने अल्ट्रा-हाई बैंडविड्थ और अल्ट्रा-हाई-डेंसिटी स्टोरेज के लिए उच्च-प्रदर्शन कंप्यूटिंग प्लेटफॉर्म और एआई डेटा सेंटर की जरूरतों को पूरा करने के लिए भविष्य में एचबीएम5 जैसे अगली पीढ़ी के उत्पादों में आईएचबीएम लागू करने की योजना बनाई है।

वर्तमान में, एसके हाइनिक्स पहले से ही वैश्विक एचबीएम बाजार में एक अग्रणी आपूर्तिकर्ता है और कई एआई चिप निर्माताओं को उन्नत भंडारण उत्पाद प्रदान करता है। जैसे-जैसे कृत्रिम बुद्धिमत्ता उद्योग का विस्तार जारी है, जो कोई भी गर्मी लंपटता और बिजली की खपत की सीमाओं को तोड़ने और उच्च प्रदर्शन वाले एचबीएम के स्थिर बड़े पैमाने पर उत्पादन को प्राप्त करने का बीड़ा उठा सकता है, उससे भविष्य के एआई बुनियादी ढांचे के बाजार में अधिक अनुकूल स्थिति पर कब्जा करने की उम्मीद की जाती है। iHBM की उन्नति को SK Hynix के लिए AI स्टोरेज में अपने नेतृत्व को मजबूत करने के लिए एक महत्वपूर्ण कदम के रूप में भी देखा जाता है।

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