सार:
दुनिया के सबसे बड़े और सबसे उन्नत सेमीकंडक्टर निर्माता के रूप में, SRAM सिकुड़न में TSMC की प्रगति कई वर्षों से स्थिर है। 2020 में N5 5nm प्रक्रिया के बड़े पैमाने पर उत्पादन के बाद से, 6T SRAM मेमोरी कोशिकाओं का क्षेत्र लगभग 0.021 वर्ग माइक्रोन पर बना हुआ है। तर्क घटकों के ट्रांजिस्टर घनत्व में वृद्धि जारी है, लेकिन मेमोरी उसी गति के साथ नहीं बनी हुई है। A14 नोड के आगमन के साथ, जिसे 2028 में उत्पादन में लाने की योजना है, इस स्थिति के टूटने की उम्मीद है:
TSMC की 6T SRAM मेमोरी यूनिट के 0.017 वर्ग माइक्रोन तक सिकुड़ने की उम्मीद है, जो लगभग 19% की कमी है। इसका मतलब है कि TSMC ने संबंधित प्रौद्योगिकियों में एक सफलता हासिल की है और A14 नोड की मदद से इसे बड़े पैमाने पर उत्पादन में धकेलने की तैयारी कर रहा है।
टीएसएमसी वर्तमान में इस नोड की व्यवहार्यता का मूल्यांकन करने के लिए परीक्षण उत्पादन कर रहा है, जबकि ग्राहकों को टीएसएमसी के उत्पादन वातावरण में अपने डिजाइन के वास्तविक प्रदर्शन का परीक्षण करने की अनुमति दे रहा है। A14 नोड की प्रगति काफी आशावादी है। प्रारंभिक प्रगति सुचारू होने के कारण कार्यक्रम को आगे बढ़ा दिया गया है। यदि परीक्षण उत्पादन सुचारू रूप से जारी रहता है और कोई बड़ी उपज या उत्पादन समस्या नहीं होती है, तो जोखिम परीक्षण उत्पादन 2027 में शुरू होगा, इसके बाद 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन होगा। यदि अगले वर्ष कोई स्पष्ट बाधाएं नहीं हैं, तो टीएसएमसी बड़े पैमाने पर उत्पादन कार्यक्रम को कुछ महीनों तक आगे बढ़ा सकता है।
हाल ही में घोषित N2 2nm नोड के बड़े पैमाने पर उत्पादन की तुलना में, A14 प्रक्रिया समान बिजली खपत पर 15% तक गति सुधार प्रदान कर सकती है, या समान आवृत्ति पर 30% तक बिजली खपत में कमी प्राप्त कर सकती है। टीएसएमसी का यह भी दावा है कि तर्क घनत्व में 20% की वृद्धि हुई है और एसआरएएम घनत्व में 19% की वृद्धि हुई है। यह प्रगति महत्वपूर्ण है: लॉजिक सर्किट और यादों को अब उप-10एनएम युग के बिल्कुल विपरीत, बहुत बड़ी पीढ़ी के अंतराल पर प्रभावी ढंग से बढ़ाया जा सकता है। A14 नोड को सबसे पहले ताइवान में TSMC के मुख्यालय कारखाने में पेश किया जाएगा, जहां कंपनी 2028 में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की योजना बना रही है।
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