सार:
CNBC ने मंगलवार को एक लेख जारी किया, जिसमें चांगक्सिन स्टोरेज द्वारा की गई तकनीकी सफलताओं पर ध्यान केंद्रित किया गया। लेख में कहा गया है कि चांगक्सिन स्टोरेज इतना प्रसिद्ध नहीं हो सकता है, लेकिन इसकी तकनीकी सफलताओं के कारण वैश्विक स्टोरेज दिग्गजों के शेयरों में सामूहिक रूप से गिरावट आई है।
CNBC ने कहा कि चांगक्सिन मेमोरी वैश्विक मेमोरी चिप निर्माताओं का मुख्य प्रतियोगी है। वर्तमान उद्योग के दिग्गजों में माइक्रोन, एसके हाइनिक्स और सैमसंग शामिल हैं। लेकिन पिछले सप्ताहांत, चांगक्सिन स्टोरेज ने घोषणा की कि उसने अपनी नई वास्तुकला के अनुसंधान और विकास में प्रगति की है। यह आर्किटेक्चर कम जगह में अधिक डेटा संग्रहीत करने में सक्षम बनाता है, जिससे भंडारण घनत्व बढ़ता है।
मंगलवार को माइक्रोन के शेयर 3.62% गिर गए। दक्षिण कोरिया में सूचीबद्ध एसके हाइनिक्स के शेयर 10% और सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स के शेयर 7.4% गिरकर बंद हुए। सैनडिस्क, सीगेट और वेस्टर्न डिजिटल सहित अन्य मेमोरी चिप-संबंधित शेयरों में भी गिरावट आई।
नई तकनीक की सफलता
सीएनबीसी ने कहा कि इस गर्मी में अपने ब्लॉकबस्टर आईपीओ से पहले, चांगक्सिन स्टोरेज को चीनी बाजार के बाहर बहुत कम जाना जाता था। लेकिन इस साल जुलाई में लॉन्च होने के बाद इसने तेजी से वैश्विक ध्यान आकर्षित किया। शंघाई साइंस एंड टेक्नोलॉजी इनोवेशन बोर्ड में सूचीबद्ध होने के पहले दिन कंपनी के शेयर की कीमत लगभग 466% बढ़ गई, और यह उस समय चीनी सूचीबद्ध कंपनियों के बीच सबसे अधिक बाजार मूल्य वाली कंपनी बन गई।
सीएनबीसी ने बताया कि चांगक्सिन मेमोरी के सार्वजनिक होने के बाद, बाजार में सबसे चिंताजनक मुद्दों में से एक यह था कि क्या कंपनी माइक्रोन, सैमसंग और एसके हाइनिक्स के साथ प्रौद्योगिकी अंतर को कम कर सकती है, विशेष रूप से उच्च-बैंडविड्थ मेमोरी (एचबीएम) के क्षेत्र में, जो एआई चिप सिस्टम का एक प्रमुख घटक है।
माइक्रोन के शेयर 3.62% गिरकर बंद हुए।
हालाँकि, घरेलू मीडिया रिपोर्टों के अनुसार, चांगक्सिन मेमोरी के अध्यक्ष काओ कान्यू ने 10 अक्टूबर को चौथे एकीकृत चिप और चिप सम्मेलन में एक नई DRAM प्रौद्योगिकी प्रगति का खुलासा किया। काओ कान्यू ने 4F² नामक DRAM आर्किटेक्चर की शुरुआत की और कहा कि चांगक्सिन मेमोरी से वर्ष के अंत तक इस तकनीक का उपयोग करके DDR5 RDIMM उत्पादों की एक नई पीढ़ी लॉन्च करने की उम्मीद है।
काओ कान्यू ने कहा कि इस आर्किटेक्चर ने DRAM स्टोरेज ऐरे ट्रांजिस्टर में नवाचार किया है। वीएसजी (वर्टिकल सराउंडेड गेट) ट्रांजिस्टर मजबूत गेट नियंत्रण प्राप्त करने और रिसाव और लघु चैनल प्रभावों के दर्द बिंदुओं को हल करने के लिए एक लंबवत आसपास के चैनल संरचना को अपनाते हैं। ऊर्ध्वाधर ट्रांजिस्टर क्षेत्र को छोटा करने और भंडारण घनत्व को बढ़ाने में मदद करते हैं।
CNBC ने कहा कि नया आर्किटेक्चर डिज़ाइन "4F²" तकनीक पर आधारित है और उच्च भंडारण घनत्व प्राप्त कर सकता है। SK hynix भी 4F² डिज़ाइन को आगे बढ़ा रहा है और 2025 में इस तकनीक को विकसित करने के लिए एक रोडमैप की घोषणा की है।
विश्लेषकों का आमतौर पर मानना है कि अत्याधुनिक स्टोरेज तकनीक के अनुसंधान और विकास में चांगक्सिन स्टोरेज वैश्विक प्रतिस्पर्धियों से पीछे है। इसलिए, इसकी तकनीकी सफलताओं के बारे में कोई भी खबर इसके वैश्विक प्रतिस्पर्धियों के बाजार लाभों के बारे में निवेशकों की धारणा को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित कर सकती है।
बाज़ार हिस्सेदारी में वृद्धि
निर्यात नियंत्रण की चुनौतियों के बावजूद, चांगक्सिन स्टोरेज ने बाज़ार में महत्वपूर्ण प्रगति की है।
पिछले गुरुवार को एचएसबीसी द्वारा जारी एक रिपोर्ट से पता चला है कि वैश्विक डीआरएएम बाजार में चांगक्सिन मेमोरी की हिस्सेदारी लगभग 10% तक बढ़ गई है, जो एक साल पहले लगभग 4% थी।
सिटीग्रुप के विश्लेषकों ने अगस्त में एक रिपोर्ट में कहा: "अमेरिकी सरकार चीन में बने मेमोरी चिप्स को संयुक्त राज्य अमेरिका में बेचने की अनुमति देने की संभावना नहीं है, लेकिन यूरोप जैसे अन्य क्षेत्रों में डेटा केंद्रों को बेचे जाने वाले उत्पाद अप्रत्यक्ष रूप से माइक्रोन को प्रभावित कर सकते हैं।"
Apple ने चीन में बेचे जाने वाले उपकरणों में उपयोग के लिए चांगक्सिन मेमोरी के DRAM चिप्स का परीक्षण शुरू कर दिया है, और कंपनी के उत्पादों के व्यापक उपयोग की अनुमति देने के लिए अमेरिकी सरकार की पैरवी कर रहा है, फाइनेंशियल टाइम्स ने जुलाई में इस मामले से परिचित लोगों का हवाला देते हुए रिपोर्ट दी थी।
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